《电子工业工程术语标准（征求意见稿）》.doc

UDC P 中华人民共和国国家标准 GB/TXXXXX20XX 电子工业工程术语标准 Engineering Terminology Standard of Electronics Industry 征求意见稿 2021发布 2021实施 中华人民共和国住房和城乡建设部 联合发布 国 家 市 场 监 督 管 理 总 局 85 前 言 本标准根据住房和城乡建设部关于印发2019年工程建设规范和标准编制及相关工作计划的通知（建标函［2019］8号）的要求，由中国电子工程设计院有限公司会同有关单位共同编制完成。 本标准在编制过程中，编制组对我国电子工业工程建设相关术语进行了调查研究，在总结国内外实践经验和广泛征求国内有关设计、制造、研究、建设等单位意见的基础上，最后经审查定稿。 本标准共分9章，主要内容包括总则、综合性术语、电子元器件、电子专用材料、电子专用设备、电子整机及电池生产与处置、数据中心、电子工业工程建设特种技术、其他相关术语。 本标准由住房和城乡建设部负责管理，由工业和信息化部负责日常管理。 本标准起草单位中国电子工程设计院有限公司地址北京市海淀区西四环北路160号，邮政编码100142） 其余暂略 本标准主要起草人员 暂略 本标准主要审核人员 暂略 目 次 1 总 则1 2 综合性术语2 3 电子元器件3 4 电子专用材料8 4.1 半导体材料8 4.2 光电子材料9 4.3 磁性材料9 4.4 电子陶瓷材料10 4.5 覆铜板及铜箔材料10 4.7 电子化工材料10 4.8 其他电子材料11 5 电子专用设备13 6 电子整机及电池生产与处置19 7 数据中心20 8 电子工业工程建设特种技术22 8.1 工艺技术与工艺设计22 8.2 洁净技术38 8.3 微振动43 8.4 电磁屏蔽45 8.5 防辐射46 8.6 防静电47 8.7 电子工业纯水49 8.8 电子气体和化学品52 8.9 废水、废气和固废56 8.10 消音降噪60 9 其他相关术语62 索引65 中文索引65 英文索引66 条 文 说 明67 2 综合性术语68 3 电子元器件69 4 电子专用材料71 4.1 半导体材料71 4.3 磁性材料71 4.5 电子陶瓷材料71 4.6 覆铜板及铜箔材料72 4.7 电子化工材料72 4.8 其他电子材料73 5 电子专用设备74 6 整机及电池生产与处置工程75 7 数据中心76 8 电子工业工程建设特种技术77 8.1 工艺技术与工艺设计77 8.2 洁净技术78 8.5 防辐射78 8.7 电子工业纯水78 8.9 废气、废水和固废79 1 总 则 1.0.1 为规范电子工业工程建设术语及其定义，制定本标准。 1.0.2 本标准适用于电子元器件、电子专用材料、电子专用设备、电子整机、废弃电器电子产品等电子工业工程项目以及电池生产与处置、数据中心等项目的立项、建设、改造、维修、拆除等工程项目全周期。 1.0.3 电子工业工程建设术语，除应符合本标准外，尚应符合国家现行有关标准的规定。 2 综合性术语 2.0.1 电子工业工程 electronic industrial project 电子整机、电子元器件、电子材料及电子专用设备工程项目的统称。 2.0.2 微电子技术 micro-electronics technology 微小型电子元器件的研制、生产以及实现预定电子系统功能的技术。 2.0.3 核心生产区 core production area 电子工厂的核心工艺生产区。 2.0.4 辅助区 auxiliary area 主要用于布置与生产相关的辅助工艺用房的功能区域。 2.0.5 支持区 support area 为核心生产区、辅助区提供动力支持和安全保障的功能区域。 2.0.6 黄光区 yellow light area 采用偏黃色可见光照明的加工区域。 3 电子元器件 3.0.1 电子元件厂 electronic component factory 生产将电阻器、电容器、电感器等电路单元独立封装，有两个及以上引线或金属接点并具有特定功能的电子电路产品的工厂。 3.0.2 电子电路 electronic circuit 在绝缘基材上由电子元器件组成，采用印制工艺形成的电气电子连接电路。 3.0.3 印制电路板 printed circuit board（PCB） 在绝缘基材上，按预定设计形成印制元件、印制线路或带有两者结合导电图形的印制电路成品板，也称印制线路成品板，简称印制板。 3.0.4 微电子机械系统 micro electro mechanical systemMEMS 集微型机构、微型传感器、微型执行器以及信号处理控制电路、接口、电源等于一体的机械装置。 3.0.5 电子器件厂 electronic device 生产在真空、气体或固体中利用和控制电子运动规律制成的器件的工厂。 3.0.6 电子真空器件 electronic vacuum device 利用电子在真空或者气体中与电磁场发生相互作用，将一种形式电磁能量转换为另一种形式电磁能量的器件。 3.0.7 晶体管 transistor 对信号有放大和开关等作用，有三个或四个电极的半导体器件。 3.0.8 结型场效应晶体管 junction-gate field-effect transistor（JFET） 由PN结栅极、源极和漏极构成的具有放大功能的三端有源器件。 3.0.9 双极型晶体管 bipolar transistor 由两个背靠背PN结构成的以获得电压、电流或信号增益的晶体三极管。 3.0.10 金属氧化物半导体场效应晶体管 metal oxide semiconductor field effect transistor（MOSFET） 每个栅极和沟道之间的绝缘层是氧化物材料的一种绝缘栅场效应晶体管。 3.0.11 分立器件 discrete device 独立封装并具有两个或以上引线或金属接点的三极管、二极管、传感器等电路单元，或产品。 3.0.12 集成电路 integrated circuit 通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻器、电容器等无源元件，按照一定的电路互连，集成在半导体晶片上，构成特定功能的电路或系统。 3.0.13 双极集成电路 bipolar integrated circuits 由NPN型或PNP型双极型晶体管构成的单片集成电路。 3.0.14 MOS集成电路 metal oxide semiconductor integrated circuits（MOSIC） 以金属氧化物半导体场效应晶体管为主构成的集成电路。 3.0.15 CMOS集成电路 complementary metal oxide semiconductor integrated circuits 由以P型沟道的NMOS晶体管和以N型沟道的PMOS晶体管互补构成的集成电路。 3.0.16 BiCMOS集成电路 bipolar complementary metal oxide semiconductor integrated circuits 由双极型门电路和互补金属氧化物半导体门电路共同构成的集成电路。 3.0.17 管芯 pipe core 晶圆片上用划线分隔开的单个相对完整的电路或器件单元。 3.0.18 逻辑芯片 logic chip 传递和处理离散信号，以二进制为原理、实现数字信号逻辑运算和操作的电子器件。 3.0.19 存储芯片 memory chip 利用电能方式存储信息的电子器件。 3.0.20 射频芯片 radio frequency chip 将高频率的无线电磁波信号与二进制信号相互转换的电子器件。 3.0.21 无厂芯片设计公司 fabless 自身没有制造工厂的芯片设计公司。 3.0.22 芯片代工厂 foundry 接受芯片设计公司委托，专门从事半导体芯片制造的工厂 ，也称晶圆代工厂。 3.0.23 垂直整合模式 integrated design and manufacturer（IDM） 涵盖芯片设计、研发、芯片制造、封装测试、应用和销售全过程的运营模式。 3.0.24 显示器件 display device 用于以视觉形式呈现信息的输出设备。 3.0.25 薄膜晶体管液晶显示器件 thin film transistors liquid crystal display（TFT-LCD） 使用薄膜晶体管作为控制像素开关，并采用有源矩阵直接驱动像素方式的液晶显示器件。 3.0.26 等离子体显示器件 plasma display panel（PDP） 利用气体电离放电而发光的平板显示器件。 3.0.27 有机发光二极管显示器件 organic light emitting diode display device（OLED） 通过正负载流子注入有机半导体薄膜后复合发光的多层薄膜全固体发光显示器件，又称有机电致发光显示器件。 3.0.28 显示模组 display module 将显示面板（屏）、连接件、控制与驱动等外围电路、印制电路板、背光源组件、结构件等装配在一起构成的组件。 3.0.29 光电子器件 photoelectronic device 利用半导体光电转换效应制成的各种功能器件。 3.0.30 发光二极管 light emitting diode（LED） 将电能转化为可见光的固态半导体器件。 3.0.31 有机发光二极管微显示技术 Micro OLED technique 以单晶硅半导体为衬底，CMOS驱动有机发光二极管，实现高分辨率和微小尺寸的微型显示技术。 3.0.32 发光二极管微缩化和矩阵化技术 Micro LED technique 将发光二极管背光源进行薄膜化、微小化、阵列化，实现每个像素单独定制，单独驱动发光的技术。 3.0.33 电力电子器件 Power Electronic Device 控制电力设备电能变换的大功率电子器件，又称功率半导体器件。 3.0.34 太阳能电池 solar cell 通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。 3.0.35 硅太阳能电池 silicon solar cell 以晶体硅为基体材料的太阳能电池，又称晶硅电池，包括单晶硅太阳能电池和多晶硅太阳能电池。 3.0.36 非晶硅太阳能电池 amorphous silicon solar cell 用非晶硅材料及其合金制造的太阳能电池，简称a-si太阳能电池。 3.0.37 薄膜太阳能电池 thin film solar cell 在玻璃、塑料柔性衬底或其它非半导体材料衬底上沉积半导体薄膜材料而制成的太阳能电池。 4 电子专用材料 4.0.1 电子专用材料厂 special electronic material factory 生产用于电子元器件、组件及系统制备的专用电子功能材料、互联与封装材料、工艺及辅助材料的工厂。 4.1 半导体材料 4.1.1 半导体材料 semiconductor material 电阻率介于导体与绝缘体之间，范围在110-5Ωcm～1107Ωcm的一类固体物质。 4.1.2 单晶硅 monocrystalline silicon 由大量结晶方向相同的单晶体组成的半导体材料。 4.1.3 多晶硅 polycrystal semiconductor materials 由大量结晶方向不相同的单晶体组成的半导体材料。 4.1.4 非晶硅 amorphous silicon 熔融硅在过冷条件下凝固时，硅原子以无规则网络形态排列成晶核，这些晶核长成晶粒，晶粒再结晶成的物质。 4.1.5 硅片 silicon wafer 用于半导体器件制造的硅基晶圆片。 4.1.6 衬底 substrate 用于半导体器件制造使用的片状基底材料。 4.1.7 硅基半导体材料 silicon-based materials 以硅材料为衬底，通过不同工艺过程生长的材料。 4.1.8 碳基半导体材料 carbon-based materials 具有高载流子迁移率,高载流子浓度,高热导率等优良特性的碳基半导体材料。 4.1.9 硅外延片 silicon epitaxial wafer 在高温下通过气相化学反应，在抛光的单晶硅衬底上生长一层或多层单晶硅薄膜的半导体材料。 4.1.10 抛光片 polished wafer 在磨片基础上，通过化学机械研磨的方式，进一步获得更光滑、更平整的单晶硅衬底片。 4.2 光电子材料 4.2.1 光电子材料 optoelectronic material factory 以光子、电子为载体，处理、存储和传递信息的材料。 4.2.2 光纤预制棒 optical fiber 径向折射率分布符合拉制光纤要求的玻璃棒。 4.2.3 光纤 optical fiber 通过不同的折射角度传输光信号的玻璃或塑料纤维。 4.2.4 光纤器件 optical fiber device 以光纤为核心元件，对光波进行转换或传输的基本纤维光学无源器件。 4.2.5 光缆 optical fiber cable 利用置于包覆护套中的一根或多根光纤作为传输媒质并可以单独或成组使用的通信线缆组件。 4.2.6 半导体照明材料 semiconductor lighting material 利用半导体芯片制作的发光材料。 4.2.7 液晶材料 liquid crystal material 在一定温度范围内既具有晶体特有的双折射性，又具有液体流动性的液晶物质。 4.3 磁性材料 4.3.1 磁性材料 magnetic material 具有铁磁性或亚铁磁性的物质。 4.3.2 硬磁材料 permanent magnetic material 一经磁化即能保持恒定磁性的材料，又称永磁材料。 4.3.3 软磁材料 soft magnetic material 具有低矫顽力和高磁导率的磁性材料。 4.3.4 功能磁性材料 functional magnetic materials 在电、磁、声、光、热等方面具有特殊性质，或表现出特殊功能的磁性材料。 4.4 电子陶瓷材料 4.4.1 陶瓷材料 ceramic material 用天然或合成化合物经过成形和高温烧结制成的无机非金属材料。 4.4.2 电子陶瓷 electronic ceramic 利用电、磁性质且用于制造电子元件和器件的陶瓷材料。 4.5 覆铜板及铜箔材料 4.5.1 覆铜板 copper clad laminate（CCL） 将电子玻纤布或其它增强材料浸以树脂，单面或双面覆以铜箔并经热压而制成的板状材料。 4.5.2 铜箔 copper 沉淀于电路板基底层上的金属箔。 4.5.3 覆箔板 metal clad board，metal foil clad board 覆以金属箔的绝缘材料。 4.5.4 黏结片bonding sheet 具有一定粘结性能的预浸材料或其他胶膜材料，也称作粘结片。 4.6 电子化工材料 4.6.1 电子化工材料 electronics chemical material 电子元器件、印刷线路板、电子整机等生产和包装用的各种电子工业专用化学品及材料，又称电子化学品材料。 4.6.2 光刻胶 photoresist 利用光照反应后不同的溶解度，将掩膜版图形转移至衬底上图形的转移介质，又称为光致抗蚀剂。 4.6.3 湿电子化学品 wet electronic chemicals 在微电子、光电子湿法工艺制程中使用的各种电子化工材料。 4.6.4 电子封装材料 electronic packaging material 用于电子器件打包封装的绝缘材料。 4.7 其他电子材料 4.7.1 电子玻璃 electronic glass 用于制作具有光电、热电、声光、磁光等功能电子元器件的玻璃材料。 4.7.2 平板显示用玻璃基板 glass substrate for flat panel display FPD 平板显示器所使用的平板玻璃。 4.7.3 偏光片 polarizer 将非偏振光转化为偏振光的多层膜结构的膜材料。 4.7.4 氧化铟锡导电玻璃 Indium Tin Oxide（ITO） conductive glass 利用磁控溅射方法在表面镀一层氧化铟锡透明导电膜的玻璃基板。 4.7.5 光刻掩膜板 photo mask 在光刻工艺中使用的一种表面具有遮光图案的玻璃板。 4.7.6 靶材 target material 在适当工艺条件下，通过磁控溅射、多弧离子镀或其他类型的镀膜系统溅射在晶圆或基板上形成各种功能薄膜的溅射源。 4.7.7 石英晶体 quartz crystal 具有压电效应及优良的机械特性、电学特性和温度特性的晶体材料。 4.7.8 锂离子电池材料 Lithium-ion battery materials 制造锂离子电池所需的专用材料，主要包含正极材料、负极材料、隔膜、电解液。 5 电子专用设备 5.0.1 电子专用设备厂 electronic production equipment factory 生产专门用于材料制备、电子元器件加工、组合装调、工艺环境保证、工艺监控和质量保证设备的工厂。 5.0.2 微电子生产设备 micro-electronics manufacturing equipment 制作微电子元器件所需的生产设备及装置。 5.0.3 单晶炉 crystal growing furnace 采用高温熔化方法，由原材料制备或提纯单质或化合物半导体单晶硅锭的设备。 5.0.4 切片机 slicing machine 将半导体硅锭等脆硬棒材切割成规定厚度片材的设备。 5.0.5 研磨设备 polishing equipment 用涂上或嵌入磨料的研具对工件表面进行研磨的设备，又称抛光设备。 5.0.6 减薄设备 backgrinding equipment 用于减薄非金属和金属的硬脆性材料、精密零件的设备。 5.0.7 清洗设备 cleaning equipment 用于去除表面颗粒、金属、有机物等杂质，以及石英、塑料等附件器皿污染物，达到工艺洁净要求的装置。 5.0.8 外延设备 epitaxy equipment 利用晶体界面二维结构相似性成核原理，在单晶片上，沿着其原来的结晶轴方向再生长一层晶格完整、且可以具有不同杂质浓度和厚度单晶层的设备。 5.0.9 氧化炉 oxidation furnace 在高温、氧（或水汽）气氛条件下，衬底硅生长出二氧化硅薄膜的设备。 5.0.10 退火设备 annealing equipment 将材料加热到一定温度后，再慢慢冷却的热处理设备。 5.0.11 扩散炉 diffusion 实现杂质原子或分子在高温下由高浓度区向低浓度区移动的设备。 5.0.12 化学气相沉积设备 chemical vapor beposition equipment 将含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的设备。 5.0.13 等离子增强化学气相沉积设备 plasma enhanced chemical vapor deposition （PECVD） equipment 利用等离子体的活性促进反应，在较低温度下使气态化合物在基片表面反应并积淀形成稳定固体薄膜的反应设备。 5.0.14 低压化学气相沉积设备 low pressure chemical vapor deposition （LPCVD） equipment 在低压条件下，用加热的方式使气态化合物在基片表面反应并积淀形成稳定固体薄膜的反应设备。 5.0.15 常压化学气相沉积设备 atmospheric pressure chemical vapor deposition（APCVD）equipment 在大气压条件下，使气态化合物在基片表面反应并积淀形成稳定固体薄膜的反应设备。 5.0.16 金属有机化合物化学气相沉积设备 metal-organic chemical vapor deposition（MOCVD） machine 利用有机金属热分解反应进行气相外延生长金属有机化合物半导体的生长设备。 5.0.17 物理气相沉积设备 physical vapor deposition equipment 在真空条件下，采用物理方法，将固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，在基体表面沉积具有某种特殊功能薄膜的设备。 5.0.18 真空溅射设备 sputtering equipment 在真空中利用溅射方法制造薄膜的设备。 5.0.19 真空镀膜设备 vacuum coating equipment 在真空中用蒸发等方法将蒸发材料沉积工件上，形成均匀牢固的薄膜以完成镀膜工艺的设备。 5.0.20 涂胶设备 coater 将液态光刻胶涂在硅片表面上的一种机械设备。 5.0.21 光刻设备 photo equipment 使用照相技术将电路或管芯的设计图案由光刻掩膜板转移到硅基或玻璃基材料上的设备。 5.0.22 显影设备 developing equipment 用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶可溶解部分的设备。 5.0.23 干法刻蚀设备 dry etcher 用等离子气体和薄膜进行化学反应，去除需要刻蚀掉的薄膜的设备。 5.0.24 湿法刻蚀设备 wet etcher 利用化学溶液和薄膜进行化学反应，去除需要刻蚀掉的薄膜的设备。 5.0.25 离子注入设备 ion implant equipment 在真空系统中，用经过加速的、要掺杂原子的离子照射（注入）固体材料，在被注入的区域形成特殊的注入层，并改变这些区域硅的导电性的设备。 5.0.26 化学机械抛光设备 chemical-mechanical polish equipment CMP 化学作用过程和机械作用过程交替进行，工件表面材料与抛光液中的氧化剂、催化剂等发生化学反应，使工件表面抛光的装置。 5.0.27 激光划片机 laser scribing machine 利用高能激光束照射在工件表面，使被照射区域局部熔化、气化、从而实现划片的设备。 5.0.28 键合机 wire bonding 用机械钢嘴将金线一端加压固定在芯片周围的焊盘上，另一端加压固定在载板的金属接脚上，使芯片上的焊区与载板上镀有镍/金层的焊区相连的设备。 5.0.29 测试机 tester 检查电子元器件功能和性能要求的专用测试设备。 5.0.30 分选机 sorter 对晶圆进行分选排序的设备。 5.0.31 烘箱 oven 用于表面干燥、高温老化测试的设备。 5.0.32 真空设备 vacuum equipment 产生、改善和（或）维持真空环境的装置。包括真空应用设备和真空获得设备 5.0.33 自动除泡机 automatic defoamer 通过在罐体内提高压力和升高温度，去除偏光片与LCD玻璃、ITO膜与玻璃、触摸屏偏光膜与保护膜之间贴合气泡的设备。 5.0.34 绑定设备 binding equipment 使柔性电路板与传感器、显示器以及指纹模组之间建立稳定的机械和电气连接的生产设备。 5.0.35 贴合设备 laminating equipment 根据偏振角度在成型的液晶玻璃基板的正反面上贴附偏光片的设备。 5.0.36 模组封装设备 module packaging equipment 将各种显示器件、连接件、控制与驱动等外围电路、电路板、背光源、结构件等装配成组件的设备。 5.0.37 丝网印刷机 screen printing machinery 用丝网印版施印的机器。 5.0.38 焊接机 welding machine 运用各种可熔的合金焊锡联接金属部件的设备。 5.0.39 元件插接机 component connector 将各种电子元件插接到电路板上的机器。 5.0.40 回流焊炉 reflow furnace 通过加热电路，将加热到一定温度的空气或氮气吹向贴好元件的电路板，使元件两侧的焊料融化后与主板粘结的设备。 5.0.41 波峰焊机 flow welding machine 利用电动泵或电磁泵，将熔化的铅锡合金软钎焊料喷流成设计波峰焊料的设备。 5.0.42 表面贴装设备 surface mounted technology（SMT）equipment 将表面贴装电子元器件贴放到电路板规定位置上的专用工艺设备，又称SMT设备。 5.0.43 拉丝塔 drawing tower 可高速将光纤预制棒连续拉制成丝状光纤的生产设备。 5.0.44 光纤拉丝塔加热炉 furnace for fiber drawing tower 把预制棒下部尖端加热到一定温度，使棒的尖端处于熔融状态，在重力和拉丝塔下部拉丝盘的作用下拉制光纤的装置。 5.0.45 光纤拉丝塔冷却装置 cooling unit 位于熔融光纤预制棒的熔炉下面，用于冷却由光纤预制棒拉出的光纤的装置。 5.0.46 光纤拉丝塔涂覆装置 coating unit 拉丝过程中对裸光纤施加预涂覆层进行保护的装置。 5.0.47 光纤拉丝塔控制装置 control system of fiber drawing tower 在光纤拉丝塔上，减小光纤纤芯直径波动造成的非固有散射损耗的控制系统。 5.0.48 在线测试仪 in circuit tester（ICT） 通过对电子元器件的电性能及电气连接进行在线测试，检查生产制造缺陷及电子元器件不良品的测试仪器。 5.0.49 电子测量仪器 electronic instrumentation 用电子技术实现对被测对象（电子产品）的电参数定量检测的装置。 5.0.50 扫描电子显微镜 scanning electron microscope（SEM） 用于微区形貌分析的高分辨率精密仪器。 5.0.51 环境试验设备 environmental test equipment 为保证可靠性，根据电子元器件、电子设备的使用场合及运输条件等设计制造的单项试验设备或综合试验设备。 5.0.52 振动试验台 shaker 产生一定振动的环境试验设备。 5.0.53 冲击试验台 shock test machine 利用机械或气动、液压等原理产生冲击力，使试验台台面实现冲击运动，对试件进行碰撞和冲击试验的设备。 5.0.54 运输试验台 traffic simulator 对电子产品进行铁路、公路运输状况模拟，检查电子产品经受运输能力的试验设备。 5.0.55 离心加速度试验机 centrifugal acceleration test machine 利用机械旋转产生离心力的方法获得恒加速度，对试件进行恒加速度试验的设备。 5.0.56 净化设备 equipment for clean room 为维护洁净室或洁净环境洁净条件而使用的、有完整功能的、可单独安装的设备，又称洁净设备。 6 电子整机及电池生产与处置 6.0.1 电子整机厂 electronic terminal product factory 生产以印制电路板组装技术为基础装配具有独立应用功能的电子产品或组件的工厂。 6.0.2 电池厂 Battery factory 生产采用密封式结构将正极活性材料、负极活性材料、电介质制成具有一定公称电压和额定容量的化学电源的工厂。 6.0.3 锂离子电池 Lithium ion battery 锂离子在正、负极之间反复进行脱出和嵌入的二次电池。 6.0.4 锂电池 lithium cell 以锂金属为负极材料，使用非水电解质溶液制成的电池。 6.0.5 镍氢电池 Ni MH battery 以储氢合金为负极材料，氢氧化镍为正极材料，含氢氧化锂（LiOH）的氢氧化钾（KOH）水溶液为电解液制成的电池。（国民经济分类） 6.0.6 铅蓄电池Lead battery 以铅及氧化物为正负极材料，硫酸水溶液为电解液制成的电池。（国民经济分类） 6.0.7 锌锰电池 Zinc manganese battery 以二氧化锰为正极，锌为负极的原电池。 6.0.8 废弃电器电子产品 waste electrical and electronic equipment 不再使用且已经丢弃或放弃的电器电子产品。 6.0.9 电池处置 battery disposal 将废旧电池去除其电池功能和原有形态，转化为可进一步回收、利用的零部件或材料的过程。 7 数据中心 7.0.1 数据中心 data center 为集中放置的电子信息设备提供运行环境的建筑场所。 7.0.2 基础设施 infrastructure 数据中心内为电子信息设备提供运行保障的设施。 7.0.3 电子信息设备 electronic ination equipment 对电子信息进行采集、加工、运算、存储、传输、检索等处理的设备。 7.0.4 主机房 computer room 数据处理设备安装和运行的建筑空间。 7.0.5 行政管理区 administrative area 日常行政管理及客户对托管设备管理的场所。 7.0.6 灾备数据中心 disaster recovery data center 灾难发生时，可接替生产系统运行、数据处理和支持关键业务功能继续运作的场所。 7.0.7 互联网数据中心 internet data center（IDC） 拥有宽带出口，并以外包出租的方式为用户的服务器、网络设备等互联网相关设备提供放置、代理维护、系统配置及管理服务，或提供计算、存储、软件等资源的出租、通信线路和出口带宽的代理租用和其他应用服务的场所。 7.0.8 超算中心 super computer center 在科学领域承担各种大规模科学计算和工程计算任务,同时拥有强大的数据处理和存储能力的数据中心。 7.0.9 总控中心 enterprise command center（ECC） 为数据中心各系统提供集中监控、指挥调度、技术支持和应急演练的平台,又称监控中心。 7.0.10 数据中心能源利用率 data center power usage effectivenessPUE 数据中心消耗的所有能源与信息设备负载消耗的能源的比值。 7.0.11 水利用效率 water usage effectivenessWUE 数据中心内所有用水设备消耗的总水量与所有电子信息设备消耗的总电能之比。 7.0.12 云计算 cloud computing 能够让用户通过网络按照需要使用资源池提供的可配置运算资源的服务模式。 7.0.13 数据中心园区 data center park 在一定范围的土地上规划建设一栋或多栋数据中心建筑及配套设施，形成主要以实现对数据进行运算、存储和传输功能的园区。 7.0.14 液冷技术 liquid cooling technology 通过液体消除电子设备热量的技术。 7.0.15 数据中心基础设施管理系统 data center infrastructure management（DCIM） 收集、处理数据中心的资产、资源以及各种设备的运行状态的数据，辅助数据中心运行管理的系统。 7.0.16 信息系统恢复时间目标 ination systems recovery time objective（RTO） 信息系统或业务功能从停顿到必须恢复的时间要求。 7.0.17 信息系统恢复点目标 ination systems recovery point objective（RPO） 系统和数据必须恢复到要求的时间点。 7.0.18 数据中心可用性 data center availability 数据中心能够正常运行的概率或时间占有率的期望值。 8 电子工业工程建设特种技术 8.1 工艺技术与工艺设计 Ⅰ 整机生产工艺 8.1.1 元器件老化筛选 selection of components by aging 给电子元器件施加热的、电的、机械的或多种结合的外部应力，模拟恶劣的工作环境，使它们内部的潜在缺陷加速暴露出来，然后进行电气参数测量，筛选剔除那些失效或变性电子元器件的过程。 8.1.2 装联准备 electronics assembling preparation 装配前先将用于组装电子产品的各种元器件、零件和导线进行预先加工处理的工作，也称生产准备。 8.1.3 印制电路板装联 PCB assembling 在制作有金属电路图形的印制电路板上装配和装焊电子元器件的工艺。 8.1.4 裸芯片组装 bare chip assembly 从已完工的晶圆上切下的芯片，不封装成体，而直接组装在印制电路板上的工艺。 8.1.5 表面组装技术 surface mounted technology（SMT） 无需对印制板钻插装孔，直接在表面规定位置上贴焊电子元器件或部件的电路装联技术，又称表面安装技术。 8.1.6 印制板组件检测 test for PCB 为将印制板组件的贴（插）装、焊接故障降到最小限度，