电大国家开放大学-光伏技术与应用概论网上在线形考任务作业非免费参考答案.docx

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AM0 {A太阳光直接垂直照射到地球表面的情况; B太阳光照射到一般地面的情况; C太阳光在大气层外} 2. AM1 {A太阳光直接垂直照射到地球表面的情况; B太阳光照射到一般地面的情况; C太阳光在大气层外} 3. AM1.5 {A太阳光直接垂直照射到地球表面的情况; B太阳光照射到一般地面的情况; C太阳光在大气层外}“ “题目将下列大气光学质量数值与Θz 情况一一对应。 1. AM1 {AΘz0; BΘz48.2; CΘz60} 2. AM1.5 {AΘz0; BΘz48.2; CΘz60} 3. AM2 {AΘz0; BΘz48.2; CΘz60}“ “题目将下列地球太阳能资源分布情况与地区一一对应。 1.丰富程度最高地区 {A中国; B印度; C日本} 2. 丰富程度中高地区 {A中国; B印度; C日本} 3. 丰富程度中低地区 {A中国; B印度; C日本}“ “题目将下列概念与意义一一对应。 1. 太阳常数 {A描述大气层上的太阳辐射强度; B太阳发射的电磁辐射在大气顶上随波长的分布; C太阳光线穿过地球大气的路径与太阳光线在天顶角方向时} 2. 太阳光谱 {A描述大气层上的太阳辐射强度; B太阳发射的电磁辐射在大气顶上随波长的分布; C太阳光线穿过地球大气的路径与太阳光线在天顶角方向时} 3. 大气光学质量 {A描述大气层上的太阳辐射强度; B太阳发射的电磁辐射在大气顶上随波长的分布; C太阳光线穿过地球大气的路径与太阳光线在天顶角方向时}“ “题目将下列省份地区与太阳能资源分布情况一一对应。 1. 山东 {A二类; B三类; C四类} 2. 江西 {A二类; B三类; C四类} 3. 宁夏南部 {A二类; B三类; C四类}“ “题目将下列世界气候带一一对应。 1. 赤道带 {A纬度10~回归线(23.5); B回归线至极圈(23.5~66.5); C南北纬10以内} 2. 热带 {A纬度10~回归线(23.5); B回归线至极圈(23.5~66.5); C南北纬10以内} 3. 温带 {A纬度10~回归线(23.5); B回归线至极圈(23.5~66.5); C南北纬10以内}“ “题目将下列太阳大气结构与名称一一对应。 1. 光球 {A最外层; B中层; C最底层} 2. 色球 {A最外层; B中层; C最底层} 3. 日冕 {A最外层; B中层; C最底层}“ “题目将下列太阳结构与能量传播方式一一对应。 1. 核反应区 {A辐射; B对流; C对流和辐射} 2. 辐射区 {A辐射; B对流; C对流和辐射} 3. 对流区 {A辐射; B对流; C对流和辐射}“ “题目将下列太阳能转换成不同形式的能量需要的不同能量转换器一一对应。 1. 光合作用 {A太阳能转换成热能; B太阳能转换成电能; C太阳能转换成生物质} 2. 集热器 {A太阳能转换成热能; B太阳能转换成电能; C太阳能转换成生物质} 3. 太阳电池 {A太阳能转换成热能; B太阳能转换成电能; C太阳能转换成生物质}“ 23春光伏技术与应用概论第二次形成性考核任务答案 题目(),硅太阳电池开始在地面应用。 20世纪70年代末; 20世纪80年代初; 1958年; 20世纪70年代初 题目)是晶体中最常见的一类晶体缺陷。 载流子迁移率; 禁带宽度; 电阻率; 位错 题目()是生产单晶硅和铸造多晶硅的主要原料。 冶金硅; 硅晶; 高纯多晶硅; 单晶硅 题目()太阳电池在现阶段的大规模应用和工业生产中占主导地位。 硅晶; 高纯多晶硅; 单晶硅; 多晶硅 题目1954年,第一块实用的单晶硅光电池效率为()。 8; 6; 7; 5 题目澳大利亚新南威尔士大学的格林教授采用激光刻槽埋藏栅线等新技术将高纯化硅晶太阳电池的转换效率提高到()。 25; 17; 21; 16 题目薄膜电池材料目前不包括()。 非晶硅薄膜; CuInSe2CuInS2薄膜; 单晶硅薄膜; 多晶硅(微晶硅)薄膜 题目当硅中掺入III族元素时,如()等,就会形成P型材料。 锑; 磷; 砷; 硼 题目导电类型是()所专有的一个概念。 金属材料; 绝缘体; 导体; 半导体 题目电阻率与()反映半导体材料的导电能力。 载流子迁移率; 禁带宽度; 位错密度; 非平衡载流子寿命 题目光电效应是利用光照在()上产生的。 陶瓷器件; 半导体器件; 金属器件; 绝缘体器件 题目光电转换实现的基本装置是()。 太阳电池; 硅片; 硅料; 太阳电池方阵 题目光伏产业链的中游环节包括()。 应用系统; 电池片,电池组件; 硅料,硅片; 硅片,电池片,电池组件 题目光伏效应的英文简称是()。 PV; PE; PT; PC 题目目前()已成为应用最多的一种半导体材料。 锗; 硼; 硅; 硒 题目太阳电池是利用()制成的。 光热效应; S-W效应; 电光效应; 光电效应 题目用()制造的半导体器件,耐高温和抗辐射性能较好,特别适宜制作光伏器件和大功率器件。 硒; 硼; 锗; 硅 题目用于地面已批量生产的太阳电池材料主要有单晶硅、多晶硅与()。 InP; GaAs; 非晶硅薄膜; CdTe薄膜 题目直拉单晶硅和()应用最为广泛,占太阳能光电材料的90左右。 铸造多晶硅; 薄膜非晶硅; 带状多晶硅; 薄膜多晶硅 题目铸造多晶硅太阳电池的光电转换效率要比直拉单晶硅太阳电池低()。 4~5; 3~4; 2~3; 1~2 题目20世纪70年代初,()开始引人到电池的制造工艺中,太阳电池转换效率有了较大提高。 表面织构化; 背表面场; 细栅金属化; 浅结表面扩散 题目20世纪80年代初,主要把()引入到电池的制造工艺中。 降低接触复合效应; 改进陷光效应; 后处理提高载流子寿命; 表面钝化技术 题目半导体材料按化学成分和内部结构,大致可分为()。 化合物半导体; 无定形半导体材料; 元素半导体; 有机增导体材料 题目半导体材料的电阻率介于()和()之间。 绝缘体; 金属; 非绝缘体; 非金属 题目薄膜电池材料包括()。 多晶硅(微晶硅)薄膜; CdS薄膜; 非晶硅薄膜; CuInSe2CuInS2薄膜; CdTe 题目常用的半导体材料的特性参数有()。 载流子迁移率; 非平衡载流子寿命; 禁带宽度; 电阻率; 位错密度 题目当硅中掺入V族元素时,如()等,就会形成N型材料。 硼; 锑; 砷; 磷 题目对于太阳电池来说,为了得到高的转换效率,要求材料有大的()和适中的()。 载流子迁移率; 禁带宽度; 电阻率; 非平衡载流子寿命; 位错密度 题目高纯多晶硅是()的主要原料。 带状多晶硅; 直拉单晶硅; 区熔单晶硅; 铸造多晶硅 题目根据晶体管的工作原理,要求材料有较大的()和()。 位错密度; 电阻率; 禁带宽度; 载流子迁移率; 非平衡载流子寿命 题目光伏产业链包括()环节。 电池片; 应用系统; 电池组件; 硅片; 硅料 题目硅晶材料包括()。 铸造多晶硅; 直拉单晶硅; 带状多晶硅; 高纯多晶硅 题目金属硅通过()等技术,提纯为高纯的多晶硅。 二氯二氢硅还原法; 硅烷热分解法; 四氯化硅氢还原法; 三氯氢硅还原法 题目近年来,一些新型高效电池不断问世,主要包括()。 用化学束外延CBE技术生产的多结Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳电池; 硒化铜铟CuInSe\-2,CIS薄膜太阳电池; 大面积光伏纳米电池; 硅-硅串联结构太阳电池 题目近年来针对单晶硅太阳电池转换效率开发了许多新技术,主要有()。 激光刻槽埋藏栅线技术; 高效背反射器技术; 光吸收技术; 绒面技术; 单双层减反射膜; 背点接触电极克服表面栅线遮光问题 题目可做太阳电池材料的材料有()。 GaAs半导体材料; 薄膜电池材料; 硅晶材料; 其他类型太阳电池材料 题目通过()等一系列的工序在石英坩埚中将高纯的熔硅拉制成单晶硅硅锭,即利用切氏法制备单晶硅。 等径; 收尾; 缩颈; 引晶; 放肩 题目限制单晶硅太阳电池转换效率的主要技术障碍有()。 光传导损失; 表面光反射损失; 内部复合损失; 电池表面栅线遮光影响; 表面复合损失 题目铸造多晶硅在()方面不如单晶硅。 电学性能; 力学性质; 光学性质; 热学性质 题目1954年以色列Tabor提出选择性吸收表面概念和理论并研制成功选择性太阳吸收涂层。 题目20世纪70年代末硅太阳电池开始在地面应用。 题目当前影响光伏电池大规模应用的主要障碍是它的制造成本太高。 题目对于非晶态半导体,位错也是反映其晶格完整性的特性参数。 题目高纯多晶硅是生产单晶硅和铸造多晶硅的主要原料。 题目光伏材料又称太阳电池材料,只有半导体材料具有这种功能。 题目硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用。 题目金属的电阻率很高,绝缘体的电阻率非常小,半导体材料的电阻率介于两者之间。 题目禁带宽度越大,晶体管正常工作的高温限也越高。 题目晶体管的工作温度高温限决定于载流子迁移率的大小。 题目太阳能发电是一种新兴的可再生能源利用方式。 题目位错是晶体中最常见的一类晶体缺陷。 题目应用系统属于光伏产业链上游。 题目用载流子迁移率大的材料制成的晶体管有较好的频率响应。 题目由于生产规模的扩大,生产工艺的改进,晶体硅太阳电池组件的制造成本2010年有望降至1美元/Wp。 题目在半导体中不仅有带负电荷的电子参与导电,而且还有带正电荷的空穴参与导电。 题目载流子即半导体中参加导电的电子和空穴。 题目主要靠电子导电的称为P型半导体。 题目主要靠空穴导电的称为N型半导体。 题目自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体和绝缘体三大类。 “题目 将下列太阳电池种类与实验室最大效率一一对应。 1. 多晶硅 {A11.83 ; B12; C20.4} 2. 非晶硅单结 {A11.83 ; B12; C20.4} 3. 非晶硅多结 {A11.83 ; B12; C20.4}“ “题目将下列半导体材料的特性参数与其性质一一对应。 1. 禁带宽度 {A反映材料的导电能力; B 反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性; C 反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量} 2. 电阻率、载流子迁移率 {A反映材料的导电能力; B 反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性 ; C 反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量 } 3. 非平衡载流子寿命 {A反映材料的导电能力; B 反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性 ; C 反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量 }“ “题目将下列半导体材料的特性参数与其性质一一对应。 1. 禁带宽度 {A反映材料的导电能力; B反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性; C反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量} 2. 电阻率、载流子迁移率 {A反映材料的导电能力; B反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性; C反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量} 3. 非平衡载流子寿命 {A反映材料的导电能力; B反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性; C反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量}“ “题目将下列半导体材料种类与代表材料一一对应。 1. 元素半导体 {A砷化镓; B氧化物玻璃; C硅} 2. 化合物半导体 {A砷化镓; B氧化物玻璃; C硅} 3. 无定形半导体材料 {A砷化镓; B氧化物玻璃; C硅}“ “题目将下列硅片几何尺寸参数一一对应。 1. THK {A厚度; B总厚度偏差; C翘曲度} 2. TTV {A厚度; B总厚度偏差; C翘曲度} 3. Warp {A厚度; B总厚度偏差; C翘曲度}“ “题目将下列硅太阳电池发展历程一一对应。 1. 1958年 {A硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用; B把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中; C把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中} 2. 20世纪70年代初 {A硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用; B把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中; C把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中} 3. 20世纪80年代初 {A硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用; B把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中; C把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中}“ “题目将下列事件与时间关系等一一对应。 1. 1839年 {A法国物理学家A.E.Becqueral第一次在实验室中发现液体的光生伏特效应; B在固态硒(Se)的系统中也观察到了光伏效应; C贝尔实验室Chapin等人开发出第一块实用的效率为6%的单晶硅光电池} 2. 1876年 {A法国物理学家A.E.Becqueral第一次在实验室中发现液体的光生伏特效应; B在固态硒(Se)的系统中也观察到了光伏效应; C贝尔实验室Chapin等人开发出第一块实用的效率为6%的单晶硅光电池} 3. 1954年 {A法国物理学家A.E.Becqueral第一次在实验室中发现液体的光生伏特效应; B在固态硒(Se)的系统中也观察到了光伏效应; C贝尔实验室Chapin等人开发出第一块实用的效率为6%的单晶硅光电池}“ “题目将下列太阳电池种类与实验室最大效率一一对应。 1. 单晶硅太阳电池 {A12; B20.4; C25} 2. 多晶硅太阳电池 {A12; B20.4; C25} 3. 非晶硅单结太阳电池 {A12; B20.4; C25}“ “题目将下列线切割经常出现的问题与可能的原因一一对应。 1. 断线 {A切割工艺出现异常; B硅棒对接位置不好; C加工好的硅片在空气中停留时间过长} 2. 跳线 {A切割工艺出现异常; B硅棒对接位置不好; C加工好的硅片在空气中停留时间过长} 3. 花片 {A切割工艺出现异常; B硅棒对接位置不好; C加工好的硅片在空气中停留时间过长}“ “题目将下列影响光电转换效率的主要因素与产生的可能原因一一对应。 1. 反射遮荫等光学损失 {AP/N结区复合; B封装材料透光率; C逆变器等电器损耗} 2. 载流子复合损失 {AP/N结区复合; B封装材料透光率; C逆变器等电器损耗} 3. 连接转换等电学损失 {AP/N结区复合; B封装材料透光率; C逆变器等电器损耗}“ 23春光伏技术与应用概论第三次形成性考核任务答案 题目()是制造光伏器件和微波器件及集成电路的重要材料。 锑化锢; 磷化锢; 碳化硅; 砷化镓 题目()由于其抗辐射能力强、耐高温和化学稳定性好,在航天技术领域有着广泛的应用。 锑化锢; 砷化镓; 磷化锢; 碳化硅 题目薄膜电池迅速发展的最大优势是()。 转换效率提高空间大; 利用范围更加广泛; 对环境危害小; 成本优势 题目传统硅晶太阳电池的性能随温度升高而()。 未知; 升高; 下降; 不变 题目单结GaAs太阳电池的转换效率已达()。 26; 27; 25; 24 题目单晶硅电池的颜色多为()。 深蓝; 绿色; 白色; 金色 题目多晶硅电池的形状为()。 正方形; 长方形; 圆形; 任意形状 题目非晶硅的禁带宽度比单晶硅大,这样制成的非晶硅太阳电池的()相对较高。 转换效率; 短路电流; 填充因子; 开路电压 题目硅晶体中任一原子最多形成()个共价键。 3; 2; 1; 4 题目晶体管的工作温度高温限决定于()的大小。 载流子迁移率; 禁带宽度; 非平衡载流子寿命; 电阻率 题目染料敏化纳米晶太阳电池的制造成本比硅晶太阳电池的要()。 高; 一致; 未知; 低 题目商用太阳电池中实际应用的主要为()。 化合物晶体电池; 化合物薄膜电池; 硅薄膜电池; 硅晶电池 题目太阳电池材料缺陷属于下列()影响太阳电池转换效率的主要因素。 载流子迁移复合损失; 连接转换等电学损失; 其它损失; 反射及遮蔽等光学性能损失 题目太阳电池串叠时,能够吸收较高能量光谱的电池放在()。 下层; 上层; 中间; 任意 题目太阳电池的实验室光电转换效率()工业化生产光电转换效率。 一致; 低于; 高于; 未知 题目太阳电池组件目前使用最多的是()封装方式。 以上皆不是; 环氧树脂胶封; 硅胶封装; 层压封装 题目太阳电池组件通常是由多个电池()而成。 串联或并联; 串联; 串叠; 并联 题目下列太阳电池不属于薄膜电池系列的是()。 GaAs; CdTe; CIS; CIGS 题目有“第三代太阳电池”之称的是()太阳电池。 铜铟硒化物(CIS/CIGS)薄膜; 非晶硅a-Si薄膜; 染料敏化纳米晶(DSSC); 碲化镉CdTe薄膜 题目铸造多晶硅太阳电池的光电转换效率要比直接单晶硅低()。 4~5; 3~4; 2~3; 1~2 题目20世纪70年代初,()开始引人到电池的制造工艺中,太阳电池转换效率有了较大提高。 背表面场; 浅结表面扩散; 表面织构化; 细栅金属化 题目20世纪80年代初,主要把()引入到电池的制造工艺中。 降低接触复合效应; 后处理提高载流子寿命; 改进陷光效应; 表面钝化技术 题目薄膜电池材料包括()。 多晶硅(微晶硅)薄膜; CuInSe2CuInS2薄膜; CdS薄膜; 非晶硅薄膜; CdTe 题目薄膜太阳电池得到迅速发展的原因主要有()。 转换效率提高空间大; 成本优势; 利用范围更加广泛; 对环境危害小 “题目薄膜太阳电池中()已商业化。 碲化镉(CdTe)电池 ; 非晶硅(a-Si)电池 ; 铜铟镓硒(CIGS)电池 ; 多晶硅(微晶硅μc-Si)薄膜电池“ 题目常用的半导体材料的特性参数有()。 位错密度; 电阻率; 非平衡载流子寿命; 禁带宽度; 载流子迁移率 题目对于太阳电池来说,为了得到高的转换效率,要求材料有大的()和适中的()。 电阻率; 载流子迁移率; 非平衡载流子寿命; 位错密度; 禁带宽度 题目多晶硅结构在阳光下可通过控制氮化硅减反射膜的厚度,呈现()等不同的颜色。 绿色; 深蓝; 金色; 黑色 题目硅晶材料包括()。 带状多晶硅; 高纯多晶硅; 铸造多晶硅; 直拉单晶硅 题目硅晶太阳电池存在着固有弱点主要有()。 相对成本较高; 尺寸相对较小; 光吸收系数远远低于其他太阳光电材料; 光电转换理论效率相对较低 题目近年来,一些新型高效电池不断问世,主要包括()。 大面积光伏纳米电池; 硒化铜铟CuInSe\-2,CIS薄膜太阳电池; 用化学束外延CBE技术生产的多结Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳电池; 硅-硅串联结构太阳电池 题目近年来针对单晶硅太阳电池转换效率开发了许多新技术,主要有()。 绒面技术; 单双层减反射膜; 光吸收技术; 激光刻槽埋藏栅线技术; 高效背反射器技术; 背点接触电极克服表面栅线遮光问题 题目可做太阳电池材料的材料有()。 薄膜电池材料; 硅晶材料; 其他类型太阳电池材料; GaAs半导体材料 题目染料敏化纳米晶太阳电池的优势主要有()。 制备工艺简单,成本低; 对环境危害小; 光的利用效率高; 效率转换方面基本上不受温度影响 题目砷化镓GaAs太阳电池的缺点主要有()。 比较脆,易损坏; 不利于在空间应用; 耐辐射性能差; 单晶晶片价格比较昂贵 题目砷化镓GaAs太阳电池的优点主要有()。 吸收系数小; 禁带宽度大; 耐辐射性能好; 可以做得很薄 题目太阳电池组件具有的主要特点有()。 满足不同电压输出要求; 提高利用效率; 有足够的机械强度; 有明显的电性能增益 题目填充因子是最大输出功率与电池的()两者乘积的比值。 开路电压; 转换效率; 短路电池; 光谱响应 题目与其他太阳电池相比,制造单晶硅太阳电池()。 结晶中缺陷较小; 制造技术比较成熟; 所用硅材料比较丰富; 转换效率较高 题目制约单晶硅太阳电池光电转换效率进一步提高的主要技术障碍有()。 内部复合损失; 表面复合损失; 电池表面栅线遮光影响; 光传导损失; 电池表面光反射损失 题目传统硅晶太阳电池的性能随温度升高而下降。 题目单晶硅太阳电池的结构为P-N结构。 题目单晶硅太阳电池的转化效率在硅晶太阳电池中最高。 题目当P型半导体材料和N型半导体材料相连接,将在晶体中P型和N型材料之间形成界面,即P-N结。 题目非晶硅太阳电池的结构最常采用的是P-N结构。 题目高纯硅制造多晶硅,不是拉成单晶,而是熔化定向凝固成正方形的硅锭。 题目共价键的饱和性是指一个电子和另外一个电子配对以后,就不能再和第三个电子配对。 题目共价键的方向性是指原子只能在特定的方向上形成共价键。 题目光电器件对半导体材料特性的要求中,高的灵敏度和短的弛豫时间二者难于兼顾。 题目硅晶体的半导体性源于共价键。 题目区熔(FZ)硅单晶主要用来制作晶体管和集成电路以及外延生长的衬地。 题目染料敏化纳米晶太阳电池的制造成本高于传统的硅晶太阳电池。 题目太阳电池的最高转换效率不可能达到100。 题目太阳电池光电转换效率指的是照射到太阳电池表面上的阳光被转换成可用电流的光子数与入射光子总量的比例。 题目填充因子其值越小表明太阳电池的输出特性越好。 题目通常的工业硅(99.0-99.9)具有半导体性能。 题目因光诱导衰减影响,非晶硅电池的效率随时间增加而逐渐降低。 题目直拉(CZ)硅单晶主要用来制作大功率整流元件和闸流管等电力电子器件。 题目重掺半导体材料的性质接近绝缘体,而高阻半导体材料性质则接近导体。 题目PN结形成电动势主要靠“内生电场”,而染料敏化技术主要靠电子的扩散作用形成电流。 “题目将下列半导体材料的特性参数与其性质一一对应。 1. 禁带宽度 {A反映材料的导电能力; B反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性; C反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量} 2. 电阻率、载流子迁移率 {A反映材料的导电能力; B反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性; C反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量} 3. 非平衡载流子寿命 {A反映材料的导电能力; B反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性; C反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量}“ “题目将下列半导体材料种类与代表材料一一对应。 1. 山东元素半导体 {A砷化镓; B氧化物玻璃; C硅} 2. 化合物半导体 {A砷化镓; B氧化物玻璃; C硅} 3. 无定形半导体材料 {A砷化镓; B氧化物玻璃; C硅}“ “题目将下列硅太阳电池发展历程一一对应。 1. 1958年 {A硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用; B把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中; C把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中} 2. 20世纪70年代初 {A硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用; B把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中; C把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中} 3. 20世纪80年代初 {A硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用; B把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中; C把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中}“ “题目将下列硅太阳电池种类与工业化生产光电转换效率一一对应。 1. 单晶硅 {A7~9; B15~17; C16~18} 2. 多晶硅 {A7~9; B15~17; C16~18} 3. 非晶硅 {A7~9; B15~17; C16~18}“ “题目将下列太阳电池种类一一对应。 1.化合物晶体 {A砷化镓; B染料敏化; C铜铟镓硒} 2. 化合物薄膜 {A砷化镓; B染料敏化; C铜铟镓硒} 3. 有机染料 {A砷化镓; B染料敏化; C铜铟镓硒}“ “题目将下列太阳电池种类与实验室最大效率一一对应。 1. 单晶硅太阳电池 {A12; B
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