TiO2含量对BaO-Sm2O3-TiO2系陶瓷性能的影响.pdf

第6 2 卷第3 期 2010 年8 月 有色金属 N o n f e I T O I t l M e t a l s V 0 1 ．6 2 ．N o ．3 A u g ，2010 T i 0 2 含量对B a O S m 20 3 一T i 0 2 系陶瓷性能的影响 贾杪蕾，李晓云，丘泰，贾琳蔚 南京工业大学材料科学与工程学院，南京2 10 0 0 9 摘 要以B a C 0 3 ，S m 2 0 3 ，T i 0 2 为原料，制备B a O - s m 2 03 - x T i 0 2 系陶瓷，运用X I t D ，S E N 和矢量网络分析仪对B a O S m 2 0 3 x T i O ，系陶瓷材料的相组成、显微结构和衰减性能进行表征，研究T i O 含量对材料烧结性能、主晶相生长与微波性能的影响。结 果表明，随着x 值增加，最佳烧结温度下降，样品的密度降低，B a O - S m 2 0 3 - x T i 0 2 系陶瓷微波性能得到改进。当x 4 时，主晶相为 B a S m ，T i 。O 。该样品为单相物质，当x 6 时，T i 0 2 以第二相的形式出现在晶相中。 关键词无机非金属材料；B a O ．S m2 0 ，- x T i 0 2 系陶瓷；微波介电性能；类钨青铜结构 中图分类号T M 2 8 ；T Q l 7 4 文献标识码A文章编号1 0 0 1 ～0 2 1 1 2 0 1 0 0 3 0 0 1 9 0 7 微波介质陶瓷是指应用于微波频段 主要是 3 0 0 M H z ～3 0 G H z 频段 电路中作为介质材料并完成 一种或多种功能的陶瓷，在现代通信中被用作谐振 器、滤波器、介质基片、介质天线、介质波导回路等。 B a O ．R e O ，．T i O 体系，是一类典型的高介电常数的 微波介质陶瓷，其中R e 为稀土元素 L n L a ，N b ， s m ，P r ，c e ，E r 等 ，其介电常数占， 8 0 ～9 5 ，Q ， 6 0 0 0 ～1 0 0 0 0 G H z 0 ．4 ～3 G H z 频段 ，r ， 0 ～2 0 1 0 “℃～，目前能满足便携式电话等移动通讯用 介质谐振器的要求⋯。 B a 6 R e 。化T i 。8 0 5 。固溶体最早是在1 9 8 8 年，由 V a f f o l o m e e v 等提出，认为B a 3 7 5N d 9 ．5T i l 80 5 4 和 B a N d T i 。O 。实际是满足该固溶体的特定组分。在 B a O R e 2 0 3 - T i 0 2 三元相图中，B a 6 也R e s 忆T i l 8 0 ”固 溶体形成区域固定在B a T i O ，和B a R e T i 。O ． 或 B a “ ，R e 95 T i 。8 0 ” 的连线上，其中，T i 与O 的比为1 3 。对于B a 6 如R e 8 地T i l 。O ，。固溶限的研究是一个 热点，但是具体数据众说纷纭，普遍认为与不同的 R e 原子有关”“o 。目前，通常认为各镧系系统的固 溶限为L a0 ．0 7 ≤菇≤0 ．7 7 ；P r0 ≤x ≤0 ．7 5 ；N d0 ≤戈 ≤0 ．7 或0 ．2 ≤茗≤O ．7 ；S m0 ．3 ≤z ≤0 。7 ；E u0 ．4 ≤z ≤0 ．5 ；G d 算 0 ．5 。 研究中，主要对B a O S m O ，- x T i O 体系固溶体 的基本成分进行研究。通过X R D ，S E M ，E D S 等微 结构分析，确立不同配方的主晶相，分析高频下频谱 收稿日期2 0 0 8 0 5 1 6 基金项目国防科工委基金资助项目 作者简介贾杪营 1 9 8 4 一 ，女，福州市人，硕士，主要从事功能材 料等方面的研究。 的变化规律，以及T i O 含量对样品主晶相、晶粒生 长及微波特性的影响。 1 实验方法 1 ．1 样品制备 用传统的固相烧结法制备B a O S m 0 3 - x T i O x 3 ．5 ，4 ，4 ．5 ，6 陶瓷。采用固相反应法，分别将 B a C O ， 9 9 ％ ，S m O ， 9 9 ．5 ％ ，T i O 9 8 ％ 粉末按 照比例混合球磨、烘干、过筛，在l 1 0 0 ℃预烧2 h ，再 进行二次球磨、烘干，添加7 ％P V A 进行造粒压片， 在1 2 8 0 ～1 4 2 0 。e 温度范围内烧结。 1 ．2 性能测试 烧结后试样的密度和吸水率采用A r c h i m e d e 法 测量。利用A R LT T R AX ．R a y 分析主晶相及成分变 化。采用H P8 7 2 2 E T 网络分析仪测试样品的微波 性能，该仪器选择了介质谐振器，根据国标 G B 7 2 6 5 ．2 - 8 5 的测试方法，选择谐振模式他。。。利用 多模完成多频测试。用J S M - 5 9 0 0 型扫描电子显微 镜观察试样断面的显微结构。 2 试验结果与讨论 2 ．1 烧结特性 图l 为B a O - S m O ，．T i O 体系陶瓷材料在不同 烧成温度下的体积密度及气孔率曲线。由图1 可 见，在试验条件下，样品a 的气孔率为0 ．0 2 ％，试样 很致密。样品b 在1 3 5 0 ℃时，密度最大，气孔率为 0 ．0 1 2 ％，在1 3 0 0 ～1 4 0 0 ℃的温度范围内均可获得 较好的致密度。样品c 和d 在1 3 2 5 ℃时密度最大， 气孔率最低。样品a 的密度较大，样品b 气孔率最 万方数据 2 0 有色金属 第6 2 卷 低，因此样品b 的烧结特性最佳。 此外，随着T i O 含量的增加，样品致密化的温 度也有所下降。可见在试验条件下，各配方都有自 5 ．8 S7 乒 t 5 ．6 7 3 a5 ．5 5 ．4 S ．3 温度f C 己特定的烧成温度区间。过高的烧结温度会造成样 品的体积密度降低。 母 、 婚 逝 № 谲度，℃ 图1B a O - S m 0 。- T i O 体系各配方的体积密度和气孔率 F i g ．1A p p a r e n td e n s i t i e sa n do p e np o r o s i t yo fB a O S m 20 3 - T i 0 2c e r a m i c s 图2 为B a O S m 0 ，一T i O 体系各样品经球磨混 料后的差热分析曲线。每个样品都有两个吸热峰， 前面的峰主要集中于1 3 5 0 。C 左右，这个温度点是样 品的低共熔温度。另外一个峰集中在1 5 0 0 ℃左右， 为化合物的熔点。第一个峰对应的温度应为化合物 的最低烧成温度，因为烧结应当发生于产生液相前。 在两个温度点间，反应物能获得致密化。由表1 可 见，两个吸热峰间的温度区间随着T i O 含量的增加 而减小，并且随着T i O 含量的增加，第二个吸热峰 向低温区移动。综上可知，B a O S m 0 3 - T i O 体系陶 瓷可在一个较小的温度区间内获得致密化。 表1 不同含量的T i O 对峰形温度的影响 T a b l e1t h ee f f e c t o fT i 0 2o nt h ea p e xt e m p e r a t u r e 另外，由图2 可见，T i O 含量的增加使得B a O S m O ，一T i O 体系陶瓷烧结温度降低，并且使得第一 个峰的起始温度降低。样品b 的差热嗌线中第二个 放热峰应当是固溶体中次晶相对应的熔点。 2 ．2 微结构与相组成分析 在B a O - S m O ，- T i O 体系微波介电陶瓷中，样品 a 粉末分别在9 5 0 ，1 0 0 0 ，1 0 5 0 ，1 1 0 0 ，1 2 0 0 ℃ 保温均 为2 h 下预烧，预烧后的粉体X R D 衍射见图3 ，其不 同合成温度下的反应物成分分析见表2 ，其中妒表 示类钨青铜矿相。根据衍射图可知，9 5 0 。C 时。B a O 与T i 0 2 ，S m 2 0 3 与T i 0 2 反应生成了B a T i 0 3 ，B a T i 2 0 5 ，S m 2 T i 2 0 7 。1 0 0 0 。C 时，反应物B a T i 0 3 ，B a T i 2 0 j 与T i O 反应，产生了少量B a T i 。O 。。1 0 5 0 ℃时， S m 2 T i 2 0 7 与B a T i 4 0 9 反应生成了B a S m 2 T i 4 0 1 2 0 l 1 0 0 。C 时，主晶相为B a S r a T i 。O 。，反应物中不再有 新相生成。当温度升高到1 2 0 0 0 C 时，主晶相为 B a S m T i 。O ∽反应物中还存在少量的S m T i O ，，其 他次晶相已检测不出。 表2 样品a 各预烧温度相 T a b l e2D e t e c t e dg r a p h so fs a m p l eau n d e rd i f f e r e n t p r e s i n t e f i n gt e m p e r a t u r e s 预烧温度P C 检测出的相 主晶相 次品相 B a T i 。O 。和s m T i O ，都是在类钨青铜结构 万方数据 第3 期 贾杪蕾等T i O 含量对B a O S m 2 0 ，一T i O 系陶瓷的性能的影响2 l 图2B a O S m 2 0 3 - x T i 0 2 体系各样品 原始混料的差热分析 F i g ．2 M a c r od i f f e r e n t i a lt h e r m a la n a l y s i s D S C o f B a O S m 20 3 一x T i 0 2r a wm a t e r i a l s B a S r a 2 T i 4 0 1 2 生成前出现的，而B a S m 2 T i 。0 1 2 是在 1 0 5 0 1 1 0 0 ℃温度范围内开始出现。通过对样品a 一系列预烧温度点产物变化的研究，可推知主晶相 B a S m T i 。O 。的大致合成过程及其合成的起始温度 在在1 0 5 0 1 1 0 0 ％。据此，可将B S T 陶瓷的预烧温 度点设置为1 1 0 0 ℃。 。‘ 7 ． t ．．二- 。 ，一 ． ■k 舭山忒ku ，， 4 0 2 刚。 图3 样品a 各温度下的X R D 图 F i g ．3 X r a yd i f f r a c t i o np a t t e r n so fs a m p l ea c a l c i n e da tv a r i o u st e m p e r a t u r e s 图4 为各配方在致密化温度下合成的样品的 X R D 图。如图4 所示，各样品的主晶相均为类钨青 铜结构B a S m T i 。O m 随着T i O 含量的增加， B a 2 T i 。O 。的特征峰出现。其中样品a 主晶相为 B a S r a 2 T i 。0 1 2 次晶相为S m 2 T i 2 0 ，，样品b 为单相物 质。随着T i O 含量的增加，B a T i ，O 。在样品C 中出 现，样品d 中除了B a T i 。O ∞，还存在金红石结构的 T i O 。由此可知，当B a O S m O ，T i O 的摩尔比为1 1 4 时，可得到纯的B a S r a T i 。O 。化合物。 篓枷kL 心J “。L 白_ 劫．；≥ 2 8 H 。 图4B a O - S m 2 0 3 T i 0 2 陶瓷各配方在 最佳烧结温度下所得样品的X R D 图 F i g ．4X r a yd i f f r a c t i o np a t t e r n so fB a O - S m 20 3 - T i 0 2 c e r a m i c ss i n t e r e d a tt h e i rs p e c i f i c d e n s i f i e dt e m p e r a t u r e s 图5 为样品b 不同烧结温度下X R D 分析。在 烧成过程中，s m 2 T i 2 0 7 ，B a T i 4 0 9 ，B a T i 0 3 这些中间相 完全反应，只有B a S m T i 。O ，相存在于样品中。与此 同时，还可以发现随着烧结温度的提高，第二强峰的 衍射峰先增强再减弱，有些连续的小峰逐渐重合，这 说明晶体的结晶化程度提高。 4 I O ℃ 图5 样品b 在不同烧结温度下 制备的样品的X R D 图 F i g ．5X r a yd i f f r a c t i o np a t t e r n so fs a m p l eb s i n t e r e da td i f f e r e n tt e m p e r a t u r e s 由于样品d 中出现了异同于其他样品的次晶相 T i O ，故对样品d 的预烧各进程进行制样分析。图 6 和表3 为样品d 预烧过程中，以5 0 ℃为区间，各阶 邓每{ 卿 鬈麓曩啦 ★▲●o ◆●o 万方数据 2 2 有色金属第6 2 卷 段粉末的X R D 分析。 根据衍射图可知，9 5 0 。C 时，B a O 与T i O ，S m 0 3 与T i 0 2 反应生成了B a T i 0 3 ，B a T i 4 0 9 ，S m 2 T i 2 0 7 。 1 0 0 0 。C 时，反应物B a T i O ，和B a T i 。O 。与T i O 反应， 产生了少量B a 2 T i 9 0 2 。。1 0 5 0 。C 时，B a T i 。O 。大量产 生。1 1 0 0 ℃时，s m T i 0 ，与B a T i 。O 。反应生成了 B a S r a T i 。O 。。当温度升高到1 2 0 0 。C 时，主晶相为 B a S r a T i 。O 。反应物中不再有新相生成。当温度升 高到13 1 0 。C 时，出现金红石结构的T i O 。 表3 样品d 各预烧温度下的相 T a b l e3D e t e c t e dg r a p h so fs a m p l edu n d e rd i f f e r e n tp r e s i n t e r i n gt e m p e r a t u r e s 通过以上的分析，结合样品a 的X R D 分析可 知，样品d 的中间产物为B a T i 。O 。和B a T i 9 0 2 0 ，相 对于样品a 而言，反应物T i O ，富裕，可形成高配比 的钛酸钡化合物，但是主晶相合成的起始温度略高 于样品a ，但这一区别有可能是实验仪器误差造成 的。此外，在1 2 0 0 q C 前，样品d 中均未出现金红石 结构的T i O ，直至1 3 1 0 ℃。说明金红石结构T i O 在高温下才会从钛酸钡系固溶体中过饱和析出。 1 3 1 0 。C tI ‘7 7 ⋯‘‘， ．上t 々。一一臻} 凄j 办一一～。p ，o - ，“h _ 一，如，。j 。2 T ，一。 1 2 0 0 。C i ‘“7 1 4 0 9 ～，⋯一囊0I ’蛙Lj ⋯”⋯』一s “ 一一I - ，乏 皇一 “．，． f “批 l 1 0 0 。C f ”‘。’ ～～上⋯枷i t ；≯，| 一．j ～_ 一。量一’上m ⋯～’mmw k 1 0 5 0 。c fj ～。} ．。。 谴赢o 一叠一一、t 。i 气L ；。，一j ．i j 1 f 】 代 ； ⋯ ～ 。璺冀瞧 囊璺。一土～t h ～ L 缸气一| 9 5 0 。c f7 ．0 ．。．．．．． ～⋯Ic I 一_ 觚巳0 ．二盆一M ， 上～；；，；j ， 奴⋯ 1 2 广] F 丽F 1 2 0 ／{ 。 图6 样品d 各温度下的X R D 图 F i g ．6X r a yd i f f r a c t i o np a t t e r n so fs a m p l ed c a l c i n e da tv a r i o u st e m p e r a t u r e s 图7 和图8 为B a O - S m O ，- T i O 体系陶瓷不同 配方最佳烧结温度下样品的微观结构。主晶相 B a S m T i 。O ．为类钨青铜结构，它的晶胞以氧八面体 的高度1 2 轴方向的晶胞长度，因此，主晶相晶胞的c 轴相对于a 和b 轴来说很短，易形成柱状晶体，如图 7 所示。各样品主晶相均为柱状晶粒，晶粒的分布 方向与成型时压力的方向垂直，具有一定的取向性 排列。随着T i O ，含量的增加，晶粒长径比 c ／a 增 加，从7 增大到2 0 ，块状晶粒不断增加。柱状晶粒 与块状晶粒在基体中随机堆积，这使得晶粒间产生 了许多孔隙，从而造成了气孔率的增大，体积密度的 降低。 图7B a O - S m 2 0 s - T i 0 2 陶瓷不同配方 的烧结表面形貌 F i g ．7 S E Mm i e r o g r a p h so fB a O S m 203 一T i 0 2 c e r a m i c ss i n t e r e di na i rf o r2 h 从图8 可知，样品c 和d 中都存在着块状晶粒。 图9 为样品c 和d 的B E C 图，由图9 可知，样品c 和 d 中存在着3 种色差的块状晶粒。分别对浅灰、深 万方数据 第3 期 贾杪蕾等T i O 含量对B a O S m O ，- T i O 系陶瓷的性能的影响2 3 图8B a O - S m 2 0 3 - T i 0 2 陶瓷不同 配方的烧结表面形貌 F i g ．8 S E Mm i c r o g r a p h so fB a O S m 20 3 一T i 0 2 c e r a m i c ss i n t e r e di na i rf o r2 h 灰的块状晶粒作E D S 分析，见图1 0 。将E D S 结果 结合X R D 分析可知，样品C 中l 号及样品d 中2 号 所指浅灰色块状晶粒为B a T ，9 0 。，样品d 中3 号所 指深灰色块状晶粒为T i O 。 a x 4 ．5 ； b x 6 图9B a O - S m 2 0 3 - T i 0 2 陶瓷 不同配方的B E C 图 F i g ．9 B E Cm i c r o g r a p h so fB a O - S m 2 0 3 - T i 0 2c e r a m i c s 图1 0B a O - S m 0 3 - T i O 陶瓷不同配方的E D S 图 F i g ．10 E D Sr e s u l to fB a O S m 20 3 一T i 0 2c e r a m i c s 2 ．3 微波介电性能 图l l 为不同烧成温度下合成的样品在高频 4 ～5 G H z 下的介电常数。根据X R D 分析，町知各样 品的主晶相均为类钨青铜结构。对于具有类钨青铜 结构的这种材料来说，介电常数主要受几个方面的 影响。 1 T i O 中[ T i O 。] 八面体的体积。八面体 的体积越大，介电常数就越大。 2 [ T i O 。] 八面体 沿C 轴的倾斜度。倾斜角越小，介电常数越大。 3 钡离子和稀土离子的极化率 离子的极化率越 大，介电常数越大。由图11 可知，样品b 的介电常 数最高，占， 8 2 ．9 ，样品a 的介电常数最小，￡， 6 0 ．3 。各样品在1 3 0 0 1 4 2 0 ℃范围内烧结时，介电 常数随烧结温度的提高，先增加后减小。样品b 各 个烧结温度的样品的介电常数都比其他样品大，并 且随烧结温度的升高，介电常数变化幅度小。各样 品介电常数达到最大时所对应的烧结温度都高于各 样品的致密化温度。 图1 1B a O S m 2 0 3 - T i 0 2 陶瓷 不同配方的微波介电性能 F i g ．11 M i c r o w a v ed i e l e c t r i cp r o p e r t i e so fB a O S m 20 3 一T i 0 2 c e r a m i c ss i n t e r e di na i rf o r2 h 万方数据 2 4 有 色金 属 第6 2 卷 宝 窦 d 1 3 2 01 , 3 4 01 3 6 0l 搿I 【1 4 0 01 4 2 0 温度f ℃ 图1 2B a O - S m 2 0 ，- T i 0 2 陶瓷 不同配方的品质因素 F i g ．1 2Q fv a l u e so fB a O S m 2 0 3 - T i 0 2c e r a m i c s s i n t e r e di na i rf o r2 h 此外，由图1 2 可知，品质因素随搿的增加而增 大。陶瓷介质的品质因数Q 为介电损耗t a n 8 的倒 数，由三方面的损耗决定，Q ～ t a n 8 。 t a n 8 。 t a n 8 ．，其中t a n 8 。为介质损耗，t a n 8 d 为欧姆损耗， t a n 。为辐射损耗。对于微波材料，由于其为绝缘材 料，电导损耗可以舍去，另外介质谐振器表面光滑， 参考文献 并且谐振腔内部完全避光，辐射损耗也可以舍去。 因此Q 值主要受到介质损耗的影响，实测时可以由 t a n 8 d 估测Q 值，即Q 一 t a n 8 。 ～。 影响介质损耗的因素很多，主要来自极化损耗 及结构损耗两方面。极化损耗主要是由于晶格变化 造成的，而结构损耗主要是由于次晶相、氧空位、晶 粒尺寸及致密化程度以及孔隙率造成的。在许多微 波介质陶瓷体系中，都可发现致密化及晶相是决定 介电损耗的主要因素。当茗 6 时的样品的品质因 素最低，这是因为该样品中的次晶相较多，晶粒较 细，由于晶粒较细易产生堆积，致使产生较多的孑L 隙。 3结论 对于B a O S m O ，一x T i O 系微波介电陶瓷，随着x 值增加，最佳烧结温度下降，样品的密度降低，易于 烧结。当菇 4 时，主晶相为B a S r a T i 。0 ∽该样品为 单相物质。随着x 增加，B a T i 。0 。，T i O 在物相中 出现。通过测试可知，当菇 4 时，样品的微波介电 性能较好，占， 8 2 ．9 ，O r 5 6 5 8 G H z [ 1 ] O h s a t oH ．S c i e n c eo f t u n g s t e m b r o n z e t y p eB a 6 3 ，R 8 2 ；T i l 。0 5 4 R r a r ee a r t h m i c r o w a v ed i e l e c t r i cs o l i ds o l u t i o n s [ J ] ．JE u r o C e r a mS o c ，2 0 0 I ，2 1 9 2 7 0 3 2 7 1 1 ． [ 2 ] O h s a t oH ，N i s h i g a k iS ，O k u d aT ．S u p e r l a t t i c ea n dd i e l e c t r i cp r o p e r t i e so fd i e l e c t r i cc o m p o u n d s [ J ] ．J p nJA p p lP h y s ，1 9 9 2 ，3 1 1 1 3 1 3 6 3 1 3 8 ． [ 3 ] [ 4 ] [ 5 ] [ 6 ] [ 7 ] [ 8 ] M a t v e e v aRG ，V a r f o l o m e e vMB ，Y u s c h e n k oLS ．R e f i n e m e n to ft h ec o m p o s i t i o na n dc r y s t a ls t r u c t u r eo fB a 3 7 5P r 9s T i l 80 5 4 [ J ] ． R u s sJI n o r gC b e m ，1 9 8 4 ，2 9 1 1 7 一1 9 ． 李标荣，王筱珍，张绪礼．无机电介质[ M ] ．武汉华中理工大学出版社，1 9 9 5 1 6 0 1 6 1 ． W a d aK ，K a k i m o t oK ，O H s a t oH ．G r a i n o r i e n t a t i o nc o n t r o la n dm i c r o w a v ed i e l e c t r i cp r o p e r t i e so fB a 4 S m 9 ．t 3T i l 80 5 4c e r a m i c s [ J ] ．J p nJA p p lP h y s ，2 0 0 3 ，4 2 9 B 6 1 4 9 6 1 6 1 ． 吕文中，张道礼．高E r 微波介质陶瓷的结构、介电性质及其研究进展[ J ] ．功能材科，3 0 0 0 ，3 1 6 5 7 3 7 5 ． 郑兴华，周小红．新型钨青铜型高介微波陶瓷的研究进展[ J ] ．电工材料，2 0 0 5 ， 4 2 9 3 2 ． O h s a t oH ，O h h a s h iT ，K a t oH ，e ta 1 ．M i c r o w a v ed i e l e c t r i cp r o p e r t i e sa n ds t r u c t u r eo ft h eB a 6 一hS m hT i l 8O Hs o l i ds o l u t i o n s [ J ] ．J p nJA p p lP h y s ，1 9 9 5 ，3 4 1 1 8 7 1 9 1 ． [ 9 ] O h s a t oH ，I m a e d aM ．T h eq u a l i t yf a c t o ro ft h em i c r o w a v ed i e l e c t r i cm a t e r i a l sb a s e do nt h ec r y s t a ls t r u c t u r e 一鹳a ne x a m p l e t h e B a 6 “R 8 m T i l 8 0 5 4 R r a r ee a r t h s o l i ds o l u t i o n s [ J ] ．M a t e r i a l sC h e m i s t r ya n dP h y s i c s ，2 0 0 3 ，7 9 2 ／3 2 0 8 2 1 2 ． [ 1 0 ] M o t o a k iI ，K i e h i r oI ，M a k o t oM ，e ta 1 ．M i c r o w a v ed i e l e c t r i cp r o p e r t i e so f B a 6 ．3 ，R 8 2 ，T i l 8 0 ，4s o l i ds o l u t i o n sw i t hS rs u b s t i t u t e d s f o rB a [ J ] ．J p nJA p p lP h y sP a r tI ，1 9 9 7 ，3 6 9 B 6 0 1 2 6 0 1 5 ， [ 1 1 ] 徐建梅，熊胜虎．掺锂与锶对B L T 微波介质陶瓷性能的影响[ J ] ．非金属矿，2 0 0 4 ，2 4 s 1 4 4 4 6 ． [ 1 2 ] 赵梅瑜，王依琳．高介电常数微波陶瓷材料的研究进展[ j ] ．电子元件与材料，2 0 0 5 ，2 4 1 2 5 0 5 4 ． [ 1 3 ] 司敏杰，李谦，黄金亮，等．P r 取代对B a 。。S m 。。T i ．。O ，．微波介质陶瓷结构和介电性能的影响[ J ] ．中国陶瓷工业， 2 0 0 5 ，1 2 2 1 0 1 1 0 5 ． [ 1 4 ] O h s a t oH ，F u t a m a t aY ，S a k a s h i t aH ，e ta 1 ．C o n f i g u r a t i o na n dc o o r d i n a t i o nn u m b e ro fc a t i o np o l y h e d r ao ft u n g s t e n b r o n z e ．t y p e - l i k eB a 6 A S m 8 m T i l 8 0 Hs o l i ds o l u t i o n s [ J ] ．JE u rC e r a mS o c ，2 0 0 3 ，2 3 1 4 2 5 2 9 2 5 3 3 ． 万方数据 第3 期 贾杪蕾等- T i o 竺翌竺 尘竺至竺兰竺竺垦竺竺 一三 [ 15 ] s h a n n 。nRD ． R e v i s e de ‰c 帆i 。n i c 枷a n ds y s t e m a t i cs t u d i e s 。fi n t e ra t o m j c d i s t a I l c e si n h a l i d e sa n dc h a l c 。剃d e s [ J ] ．J A c t aC r y s t a l 。1 9 7 6 ，A 3 2 3 7 5 1 M i c r o w a v eC h a r a c t e r i s t i c so fB a O - S m 20 3 - x T i 0 2C e r a m i c s J MM i 口。一l e i ，1 ．1X i a o y u n ，Q j UT a i ，J t A1 2 n 。w e i c 。f 妇e ∥肘眦咖fs c 觚e ，N a n j i n gU n i ”P r s i ￡Yo fr e c h 厅。l 。g Y ，N a n j i n g2 1 0 0 0 9 ，c ㈣ A b s t r a c t B a 0 ．S m 2 03 - x T i O ，c e r 锄i c s a r ep r e p a r e dw i t hB a C O3 ，S m 2 03 a n dT i 0 2a sr a wm a t e m l 8 。r h e m l c m w a 7 e p r o p e r t y ，p h a s ec o m p o s i t i 。n ， m i c r o s t r u c t u r ea n dm i c r o w a V ea t t e n u a t i o n o ft h ec e r a m i c sa r ec h a r a c t e n z e db y n e t w o r ka n a l y z e r ，X R Da n dS E M ．T h ee f f e c t s o fT i 0 2c o n l e n to nd e n s i f i c a “0 “，g r a m g 酬m 锄d 坨r o w ￡代 a t t e n u a t i 。np e r f o m a n c ea r ei n v e s t i g a t e d ．T h er e s u I t si n d i c a t et h a tt h e 。p t i m a l s i n t e r i n gt e m P e r a t u r ea n dt h er e l a t l V e d e n s i t yo ft h ec e r a m i c s a r ed e c r e a s e dw i t ht h ei n c r e a s e 。fT i 0 2c o n t e n t ，a n d t h ep e r f o H n a n c eo f m l c ．r o w a V e p r o p e r t i e s 。fB a O S m 2 0 3 ．石T i 0 2 c e r a m i c si si m p r o v e db yt h ea d d i t i 。n 。fT i 0 2 W h e n 戈2 4 ，t h em mp h a 3 e1 8 m o n o p h a s e ，B a S r a 2 T i 4 0 1 2 ，w h i l e 髫 6 ，t h eT i 0 2p h a s ea p p e a r s K e y w o r d s i n o r g a n i cn o n ．m e t a lm a t e r i a l ；B S T Cc o m p o s i t e ；m i c r o w a v ea t t e n u a t i o n ；t u n g s t e n b r o n z e s t m c t u r e t y p e 万方数据