Ir薄膜的化学气相沉积制备及SEM研究.pdf

“ 薄膜的化学气相沉积制备及 研究 胡昌义8；67 2-’ ’, .00““, A 有色金属第 BA 卷 万方数据 图 通入氧气较少的 “ 铱薄膜的 - 薄膜与钼基体表面接触的一面；（） （*） 图表面形貌放大像； （） 自由沉积的面；（5） （） 图表面形貌放大像 图 “ 铱薄膜 ］ , 宇航材料工艺，- A，’B6 C，D44 A, E2F43 G 44/45. 3/ FH435. G4H.6 IJ KL］ , ;53H 2 E1J64M52“，-， （］ , 0FFH E1J6 T2，-“，U （） - A，’B6 C，D44 A, E2F43 G 44/45. *H5626 IJ KL］ , K V*4 P3B， -U，09-79-99 ““A- BAC 3D *AED，F-’ U99-，； 9, AG 3-A “HGCA，’C “-，） 3*“/ A12 44/45. G4H.6 2 F2F2/ IJ *12.4*H SF /2F6443 （’）3 .HJI/235. 65I626, A12 2GG2*6 G 2.F252 3 /2F6443 26 G 44/45. G4H.6 2 43S264B2/, 46 G53/ 1 12 2.F252 /2F23/23*2 G /2F6443 2 G 44/45. 46 3 43 **/ R41 0123456 PM543 53/2 12 26 *3/443，R1226 FIH4* 2H43614F 2Q466 I2R223 12. 43 .3WHB41.4* */4326, A12 /2F6443 2 G 44/45. G4H.6 43*2626 R41 12 43*2643B G 2.F252 I2HR 78，I5 /2*2626 R41 12 4643B G 2.F252 IS2 78 , A12 44/45. 46 /2F642/ 43 F4*H26 R41 ,-.4*3 43 /4.22, 03/ 12 FF23*2 G 12 65G*2 3/ 12 *.F*3266 G 12 44/45. G4H.6 2 2H2/ 12 FF23*2 G 65I626, A12 QJB23 *3236 43 12 44/4W 5. G4H.6 2 /2F23/23 3 12 GHR 2 G QJB23 43 12 F2F43 F*266, 45 6’“*44/45. G4H.；*12.4*H SF /2F6443；VPK U 有色金属第 “ 卷 万方数据