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湿法冶金手册 第四篇 第30章 镓铟铊锗的湿法冶金 目录 30.1 概论（ ） 30.1.1 发现史（ ） 30.1.2 镓铟铊锗的商情（ ） 30.1.2.1 供求状况 （ ） 30.1.2.2 售价（ ） 30.1.3 国内外主要的镓铟铊锗厂家（ ） 30.1.4 物理与化学性质（ ） 30.1.5 用途（ ） 30.1.5.1当代新技术的支撑材料（ ） 30.1.5.2 镓用途（ ） 30.1.5.3 铟用途（ ） 30.1.5.4 铊用途（ ） 30.1.5.5 锗用途（ ） 30.2 资源（ ） 30.2.1 矿产资源（ ） 30.2.1.1 镓铟铊锗的重要矿床（ ） 30.2.1.2 镓铟铊锗的储量（ ） 30.2.2 再生资源（ ） 30.2.3 选矿与预处理（ ） 30.3 镓铟铊锗的湿法冶（ ） 30.3.1 镓的湿法冶金（ ） 30.3.1.1 P-M法提镓铟锗（ ） 30.3.1.2 综合法提镓铟锗（ ） 30.3.1.3 全萃法提镓铟锗（ ） 30.3.1.4 Kelex100萃取镓法（ ） 30.3.1.5 萃淋提镓法（ ） 30.3.1.6 电解合金法提镓铟锗（ ） 30.3.1.7 石灰乳提镓法（ ） 30.3.1.8 碳酸化提镓法（ ） 30.3.1.9 汞齐电解镓法（ ） 30.3.1.10 生化法提镓锗（ ） 30.3.2 铟的湿法冶金（ ） 30.3.2.1 置换铟法（ ） 30.3.2.2 硫酸化提铟法（ ） 30.3.2.3 电解铟法（ ） 30.3.2.4 萃取铟法（ ） 30.3.2.5 离子交换提铟法（ ） 30.3.2.6 火冶中有效提铟法（ ） 30.3.3 铊的湿法冶金（ ） 30.3.3.1 置换铊法（ ） 30.3.3.2 氯化沉铊法（ ） 30.3.3.3 铬盐沉铊法（ ） 30.3.3.4 萃取铊法（ ） 30.3.3.5 离子交换提铊法（ ） 30.3.3.6 电解铊法（ ） 30.3.3.7 火冶中有效提铊法（ ） 30.3.4 锗的湿法冶金（ ） 30.3.4.1 氯化蒸馏锗法（ ） 30.3.4.2 碱土金属氯化蒸馏锗法（ ） 30.3.4.3 萃取锗法（ ） 30.3.4.4 离子交换提锗法（ ） 30.3.4.5 沉锗法（ ） 30.3.4.6 Musto法提镓锗（ ） 30.3.4.7 火冶中有效提锗法（ ） 30.3.5 再生资源中回收镓铟铊锗（ ） 30.3.6 高纯镓铟铊锗的制备（ ） 30.4 环境中的镓铟铊锗（ ） 30.4.1 环境中的镓铟铊锗（ ） 30.4.2 毒性与中毒事件（ ） 30.4.3 环境中的容许量（ ） 30.5 镓铟铊锗的金属标准（ ） 30.6 文献（ ） 30.7 索引 第30章 镓铟铊锗的湿法冶金 30.1 概论 镓Ga、铟In、铊Tl及锗Ge均是稀散金属。镓、铟、铊属元素周期表ⅢA族，锗属ⅣA族，镓与锗在第4周期，而铟与铊分别在第5与第6周期。 30.1.1 发现史 十九世纪中叶后相继发现了铊、铟、镓及锗（表30-1）[1.2] 。 表30-1 发现史与命名 Ga In Tl Ge 发现年代 1875 1863 1861 1886 发 现 者 P.E. Lecoq de Boisbaudran F.Reich et al W.Crookes C.A. Winkler 发现介质 闪锌矿 闪锌矿 酸泥 硫银锗矿 命 名 Gallia Indigo Thallus Germania 命名意义 法国 兰色 开放的绿枝 日尔曼 30.1.2 镓铟铊锗的商情 30.1.2.1 供求状况 上世纪九十年代以来全球对镓、铟、铊、锗的需求逐年增长（见表30-2）[5-6]（中国 略），历年的供求数据可查[2-6]。由表可见，美日两国年共耗镓、铟、锗分别占全球的 82，82与75以上，这与两国高新技术占据世界前列攸攸相关。 表30-2 镓铟铊锗的年产量与年耗量（t/a） 金属 年份 年生产量 年消耗量 Wx-1 A J W A J 镓 1985 40 4.8 23 49 7.4 35 1995 129 10 57 151 16.9 115 1996 139 12 62 145 21.9 92 1997 164 18 66 164 23.6 113 1998 162 18 75 156 26.9 101 1999 166 24 73 175 29.8 116 2000 187 26 87 212 39.9 140 2001 212 30 90 201 27.7 142 铟 1985 65 21.8 16 70 18.5 22 1995 197 30 35 144 43 94 1996 173 30 35 154 45 104 1997 197 30 40 195 50 110 1998 200 50 215 50 130 1999 240 35 50 215 52 140 2000 335 35 50 270 x-2 55 160 2001 345 55 290 65 173 铊 1985 14.5 0 12.5 1.04 1.1-1.3 1995 15 0 15 0.7 1996 15 0 15 0.3 3 1997 15 0 15 0.3 1998 15 0 15 0.3 1999 15 0 15 0.4 2000 15 0 15 0.3 2001 15 0 15 0.8 锗 1985 80 22 20 120 38 18.6 1995 80 10 80 27 34.9 1996 70 18 87 25 40 1997 85 20 90 28 40 1998 85 22 55.5 95 28 42.6 1999 58 20 55.5 90 28 40 2000 70 23 90 28 47 2001 110 20 28 注x-1W-世界；A-美国；J-日本；后同。 x-2（数字）表示不确定。后同。 30.1.2.2 售价 近年镓、铟、铊与锗的售价列入表30-3[3.5.6] 历年的售价可查[2]。 表30-3 镓铟铊锗的售价（/kg） 年份 99.999 Ga 99.96 In 99.99 Tl 50 Ω-cm Ge W A W A A 99.999 A W A 1985 415-420 415 84-86 84.5 77 44.1 1060-635 650 1995 120-310 425 286-567 375 1000 300 1150-1050 1375 1996 380-345 425 522-210 370 1200 310 1925-1630 2000 1997 380-400 595 220-325 309 1280 320 1630-900 1475 1998 310-420 595 300-200 296 1280 320 900-1250 1700 1999 420-500 640 （290-330） 303 1295 325 1330 1400 2000 500-1300 595 150-110 188 1295 325 1300 1250 2001 1500-1800 595 65 120 1295 325 890 30.1.3 国内外主要的镓铟铊锗厂家 国外从事镓、铟、铊与锗生产厂家约200多家，国内约20余家。见表（30-4）[3.5.6.9] 表30-4 国内外主要的厂家 国别 主要厂家 生产 中国 山东铝厂；长城铝业公司；山西铝厂 Ga 华锡集团；柳州锌品厂；云锡 In 株州冶炼厂；韶关冶炼厂 In、Tl、Ge 葫芦岛锌厂 In、Tl 会泽Pb-Zn矿；临沧冶炼厂；南锗 Ge 上海冶炼厂 Ge、In 法国 Rhone-Poulenc Co. Ga Penarraya Ga、In Al Pechiney Co. Ga 意大利 Monteponi e Montevchio SPA Ga、Ge、In Pertusola SPA Ga、In 比利时 Metallurgie Hoboken-Overpelt SA/NV Ga、Ge、In Ste An. des Mine et Fonderies de Vieille-Montaque SA In、Tl、Ge Union Miniere Ge、In 瑞士 Swisse Al Ltd Ge Non-Ferro AG Ge、In 荷兰 N.V.Hollandse Met. Inc. Bolliton Ga、Ge、In Eagle-Pitcher Co. 1999.01从美国购进 Ge 俄国 Электроцинк （奥尔忠尼启则电锌厂） In、Tl、Ge Челябинский Zn Завод （车里雅宾斯克锌厂） In Каменск-Уальский Al Комбинат （卡缅斯克－乌拉尔铝联合企业） Ga 德国 Preussag A G metall Ga、In、Tl、Ge MetalEurop Ge、In Otave Mine and Auzehboh Ga、Ge Duisburger Kupferhutte In、Tl 哈萨克斯坦 Усть-Каменогорск Pb-Zn Комбинат （乌斯季－卡缅诺戈尔斯克铅锌联合企业） Ga、In、Tl、Ge Чимкент Pb Завод （奇姆肯特炼铅厂） In、Tl 乌克兰 Укрцинк （乌克兰锌厂） Ge、In 秘鲁 Centromin Peru SA In、Tl 加拿大 Cominco Ga、In、Ge Hudson Bay Mining and smelting Co. Tl 美国 InCo. In Anaconda Cu Co. Ge、In Jersey Ge 刚果（金） Gecamines Ge 英国 Johnson matthey chemical Ltd Ga、In、Tl、Ge Powell Metals and chemical Ltd Ga、In、Ge Mining and chemical products and Co. In 日本 住友金属矿山 Ga、In、Tl、Ge 同和矿业；东帮锌公司 Ga、In 住友化学工业；日亚化学工业 Ga 日矿金属；三井金属矿山 In 古河矿山 Tl 东京电子冶金 Ge 30.1.4 物理与化学性质 镓、铟、铊与锗的基本物理与化学性质列入表30-5[1.2.7.11.12]。 表30-5 物理与化学性质 性质 Ga In Tl Ge 原子序数 31 49 81 32 原子量 69.723 114.82 204.383 72.61 原子体积 cm3/mol 11.81 15.71 17.24 13.64 原子半径 （nm） 0.1221 0.1626 0.1704（α-Tl） 0.168 β-Tl 0.1225 离子半径 （nm） 0.113 1 0.063 3 0.132 1 0.092 3 0.149 1 0.105 3 0.272 -4 0.053（4） 0.090 2 密度 （g/cm3） 5.907 6.114（L） 7.310 7.032 L 11.85（α-Tl） 11.87 β-Tl 11.25（L） 5.323 4.75（非晶质膜） 5.490（L） 莫氏硬度 1.5 0.9 1.2 6.3 表面张力 熔点,dyn/cm 718 5605 467 6325 粘度 （Pas） 2.04x10-3 29.8℃ 0.814x10-3 500℃ 1.07x10-3 200℃ 0.85x10-3 500℃ 2.68x10-3 304℃ 1.05x10-3 727℃ GeO2 2.8x10-3 1300℃ 0.032x10-3 1700℃ 熔点（℃） 29.780.005 156.170.05 304.0 937.45 沸点（℃） 2403 2080 1457 2830 蒸气压 133.32 Pa 1349℃ 1200℃ 825℃ 800℃ 666.61 Pa 1495℃ 1300℃ 931℃ 1870℃ 2666.46 Pa 1608℃ 1530℃ 1040℃ 2190℃ 7999.34 Pa 1725℃ 1684℃ 1143℃ 2350℃ 26664.48 Pa 1874℃ 1960℃ 1274℃ 2572℃ 101325.02Pa 2403℃ 2080℃ 1457℃ 2830℃ 比热 （J/ mol -K） 25.86s 25.35g 26.74s 20.84g 26.32s 20.786g 23.347s 30.731g 熔化潜热 （kJ/mol） 5.59 3.27 4.31 34.7 挥发潜热 （kJ/mol） 270.3 231.8 166.1 327.6 导热系数 （W/mK） 28℃ c//a 40.8 c//b 88.3 c//c 15.9 28.1 L 81.8 s 46.1 s 59.9 s 凝固时体积 膨胀率 3.2 2.5 5.50.5 线性膨胀系数 K-1 11.5x10-6 a 31.5x10-6 b 16.5x10-6 c 33x10-6 28x10-6 5.57x10-6 压缩系数 cm2/kg 2x10-6 2.7x10-6 2.3x10-6 1.4x10-6 拉伸强度极限 （kg/mm2） 2.0-3.8 0.23-0.30 0.9 脆弱 相对拉伸率 （） 2-40 22-41 35 -- 电阻温度系数 0-100℃, ℃-1 3.96 4.9 4.8 4.6-5.3 电阻率 Ω-cm 27x10-6 8.37x10-6 18x10-6 47 电导率 Ω-1-cm-1 58x10-8 11.1x10-8 5.5x10-8 2.2x10-8 电子排列 [Ar]3d104s24p [Kr]4d105s25p [Xe] 4f145d106s26p [Ar]4d104s24p2 晶格结构 斜方 α-Ga a451.86 Cmca b765.70 c452.58 β-Ga a290 Cmcm b813 c317 γ-Ga a1060 Cmc21 b1356 c519 面心正方 a325.30 c494.55 14/mmm 六方（α-Tl） a345.6 Pb3/mmc c552.5 立方体心 β-Tl a388.2 Im3m 立方面心 γ-Tl a485.1 Fm3m 立方 a565.754 Fd3m 负电性 1.82 1.49 1.8（Tl） 2.1 Tl3 2.02 有效核电荷 6.72 9.66 13.5 7.92 原子的电子 亲和能 （KJ/mol） 0.36 0.34 0.3 1.16 电离势（eV） 第一电离势 第二电离势 第三电离势 第四电离势） 5.999 20.50 30.70 64.0 5.786 18.860 28.00 54 6.101 20.400 29.80 50.0 7.880 15.931 34.21 45.70 氧化-还原电位 （V） 酸性溶液 碱性溶液 -0.65 -0.45 Ga3------Ga2-------Ga -0.53 -1.22 H2GaO3----------Ga -0.45 -0.25 In3------In-------In -0.338 -1.0 InOH----------In 1.25 -0.34 Tl3------ Tl ------- Tl 0.72 -0.05 TlOH3--- ---TlOH 0.00 -0.247 -0.29 Ge4------Ge2-------Ge------GeH4 -0.370 -0.255 GeO2 GeO 多种 离子势（电荷 数/离子半径） 49Ga3 33In3 28Tl3 8Tl 75Ge4 20Ge2 磁化率 （CGS） -24.4x10-6 s 2.5x10-6 L -64x10-6 s -50.9x10-6（α-Tl） -32x10-6 β-Tl -26.8x10-6 L -76.84x10-6 s 离子磁化率 9.5 x10-6 Ga3 32 x10-6 In3 48 x10-6 Tl3 8.5 x10-6 Ge4 140 x10-6 Ge4- 水解pH值 离子浓度g/L 始末水解pH 值 Ga3 6.00-0.07 1.90-3.45 In3 6.20-0.06 1.72-3.50 Tl3 5.90-0.05 0.93-3.40 Ge4 ---- 2.72-3.36 易溶于 碱液;浓HCl; HF;王水;NH3 一些金属 H2SO4;HCl; HNO3;H2C2O4 HNO3 浓H2SO4 热酸;热碱; 王水;稀H2O2 难溶于 冷HNO3;H2O 碱;HAC 冷HNO3;H2O 碱;HF;HCl 稀H2SO4;冷碱 稀HCl;H2O 同位素区域 63 Ga →76Ga 104 In→124In 191 Tl →210Tl 65 Ge→ 78Ge 热核俘获截面 b.靶恩 3.10.3 1942 340.5 2.30.3 30.1.5 用途 表30-2指出美日是用镓 、铟、铊与锗的大户，其各金属的应用结构具有实际的代表性。 30.1.5.1 当代高新技术的支撑材料 由镓、铟、铊及锗与有色金属组成一系列化合物半导体，电子光学材料，新型功能 材料，特殊合金及有机金属化合物等，由它们制成的元器件及装置，是支撑当代电子计算 机、通讯、宇航、能源、医药卫生、工农业及军工中高新技术的基础材料，其应用广泛， 无处不在；其性能独特，有些是无可替代的材料。见表30-6 [1-8,16,25,32-37] 表30-6 当代高新技术中的镓铟铊锗材料（主要部分） 应用 元器件或装置 所用镓铟铊锗材料 A． 前视装置 与夜视仪 红外光学部件 Ge、GaAs、GeAsSe、GeTeSe、InSb、含GeGeGe硒碲玻璃、含Tl硫属玻璃、TlZ（Z-卤 素） 发光二极管（即LED） GaAs、GaP、InP、GaAsP、GaAlInP、 GaAsIn、GaAlInN、GaN、GaSb、 GaAlAs、GaInSb、InGaN、InN、InGaP ITO导电聚合物 红外探测器 Ge、InSb、InAsSb 微光管、光纤熔融面板 GeCl4 B． 卫星、侦察、 预警与制导 激光器 GaAlAs/GaAs、GaInAsSb/InP、InP/Si GaAs/Si、GaInAsP/ InP、GaN、 GeAsSeTe 光电子探测器 Ge、InSb、InGaAs、InAsP、InAsSb、 Si-Ge、GaInP/ InP、GaInAsSb/GaAs 光电电池 CuInSe、GaInP/GaAs/Ge、GaInP/GaSb、 GaAs/Ge、InP 各种二极管与晶体管 Ge、GaAs、InP、Ge-Si、GaAsP、 InAsPGe、GaAlAs 光纤传感器与链路 GeCl4、Ga0.47In0.53As 射电探测器 Bi4Ge2O12即BGO LED；红外光学部件 同前 微波与红外雷达 Ge、GaAs、InSb 微波管/二极管与微波集成电路 Ge、GaAs、InP 透明电极 In2O3-SnO2即ITO 各种磁敏、力敏、气敏器件 Ge、In、InP、InSb、InAs、GaAs、ITO InAsBi、In2O3、GaP、Ba2Ge2TiO8、 Bi12GeO20、Li2GeO3、LiGaO2、 C．电子干 扰与反干扰 微波管/二极管与微波集成电路 同前 宽频带微波管 GaAs、InP 延迟线 BGO、GeCl4 D． 通讯 光纤缆 GeCl4、GeAsSbTe 各种二极管与晶体管 同前 集成电路（即IC） GaAs、InP、Ge-Si 光电子集成器件 GaInAsP/InP、GaAs/Si、GaAlAs、 GaAsP 光电子探测器；激光器 同前 分布与反馈激光器 InP、GaAs 中微子测定 GaCl3 移动电话 GaAs、InP、GaP、Si-Ge 微波与毫米波 GaAs、GaP E． 电子计算机 LED；IC；ITO 同前 荧光体 Y3Al,Ga5O12Tb、Y2Si,GeO5Tb InBO3Tb3、InBO3Eu3 光纤链路 GeCl4 光电电池 同前 存储器 Ga5Gd3O12、Y,Sm3Fe,Ga5O12 F．宇航战 机与导弹 光纤制导、光纤陀螺 GeCl4 光电子探测器;激光器；前视装置 同前 特殊合金、轴承、焊剂 Ga（In、Tl、Ge）-Me （Me有色金属） G． 能源 太阳能电池 GaAs、Ge、ITO/InP、GaAs/Ge、 CuInS2、CuInSe2 温差发电 GeSi/PbTe、GeTe/PbTe 辐射探测与核屏蔽 Ge、GaAs、In-Ag-Cd、In-Ga-Sn、 HCOOTl 反应堆控制棒与冷却回路 In-Ag-Cd、In-Ga-Sn、In-Bi-Cd H． 重大民用 微波与激光通信、全球定位系统、 导航、遥感遥测与自动化、气象 与灾害预报、环境监测、广播、 电视、电话、出版及音像 同前A-G 特殊合金、轴承、焊剂 同前 低熔合金 Ga-Me、In-Me、Ga-In-Me 低温计 Tl-Hg91.5 冶金添加剂 Ga、In、Tl、Ge 环境、农牧业与医疗诊断 Ga72、Ge-132、SK-818、GeAsSbTe、 牙科合金、铊化合物辐射检测仪 高温超导材料 V3Ga、Nb3Ga、InTl、 Tl-Ba-Ca-Cu-O 催化剂 GeO2（生产聚脂纤维PET） 镓/锗汽车尾气净化催化剂 TFT、LCD、除冰/雾器及保温 防光玻璃 ITO、Ag-SnO2-In2O3 30.1.5.2 镓用途 美国、日本两国应用镓结构见表30-7[1.3.5.6] 表30-7 镓的应用结构（） 年份 国别 应用 光电元件 IC、半导体 其它 1985 A 90 10 J 88 12 1996 A 87.1 11.8 1.1 J 51.1 47.7 1.2 1997 A 59 40 1 J 51.5 47.6 0.9 1998 A 44 51 5 J 51.5 47.5 1.0 1999 A 44 51 5 J 51.7 47.4 0.9 2000 A 44 54 2 J 50.6 48.7 0.7 2001 A 32 66 2 J 52.9 46.0 1.1 1 镓的化合物半导体广泛用于电子工业，作红外光学与红外探测器件、微波通讯与微波 集成，作红、黄、蓝、绿与白色的发光二极管， GaAs太阳能电池是迄今转换率特高的， 美日打算用此建太空电站。民用的电脑、彩电、音响及医疗设备都少不了它们。 2 镓与铟、铊、锡、铋、锌等可组成3℃至65℃的一系列低熔合金（表30-8），用于温度 测控、仪表中的代汞物、珠宝业中作支撑物、金属涂层、电子工业及核工业的冷却回路。镓 与铜、镍、锡、金等可组成冷焊剂（表30-9），适于难焊接的异型薄壁，金属间及其与陶 瓷间的冷焊接与空洞堵塞。Ga-Sn-In或Ga-In作的石英温度计可测温至1500℃而不象水银 温度计那样会爆裂。 表30-8 镓基低熔合金（组分余数为镓） 熔点（℃） 3-5 5.0-6.5 8.5 9-10.7 10.8 13 15.7 组分（） In 25 25 22 21.5 17.6 29 5-24.5 Sn 13 13 9 16 12.6 -- -- Zn 1 -- 4 -- -- 4 -- 其它 -- -- -- -- -- -- -- 熔点（℃） 17 17 20 25 27.5 25-28 30 组分（） In 12 -- -- 10 -- -- -- Sn -- 12 8 60 -- -- -- Zn 16 0或6 -- -- -- 5 -- 其它 -- -- -- -- Tl 0.5 -- -- 熔点（℃） 30 65 154 组分（） In 65 -- 99.5 Sn -- 13.2 -- Zn -- -- -- 其它 Au 8 Pb 26.3 Bi 49.3 Cd 9.8 -- 表30-9 冷焊剂组成及性能 冷焊剂组成（） 25℃焊接凝固时（h） 焊件承受温度（℃） Ga-Cu65 4 900 Ga-Cu50-Sn18 24 700 Ga-Cu40-Sn24 24 650 Ga-Au33-Cu33 8 650 Ga-Au66 8 527 Ga-In25-Au8 --- 510 Ga-Au59 8 475 Ga-Au82 5 450 Ga-Au49-Ag21 2 425 Ga-Ni65 48 250 （3）其它，Ga-Si作汽车尾气净化催化剂颇有前途；1989年德、法、意、俄与美多国曾试 图开展利用GaCl3与中微子进行β转移时放射性能量测定，用作水下通讯之用。 30.1.5.3 铟用途 美国、日本的铟应用结构列入表30-10[1.2.5.6] 表30-10 铟的应用结构（） 年份 国别 应用 ITO 低熔合金 半导体荧光体 轴承 其它 1985 A 25.0 31.7 5.8 -- 37.5 J 28.6 24.6 19.6 4.1 23.1 1996 A 45 35 15 -- 5 J 60.0 20.9 16.0 1.0 3.1 1997 A 45 35 15 -- 5 J 79.5 11.6 7.2 0.4 1.3 1998 A 50 33 12 -- 5 J 78.9 2.9 13.0 0.5 4.7 1999 A 50 33 12 -- 5 J 81.9 2.2 11.8 0.4 3.7 2000 A 49 33 14 -- 4 J 80.2 6.2 11.4 -- 2.5 2001 A 49 33 15 -- 3 J 83.3 4.0 11.6 -- 1.5 1 铟的化合物半导体用于光通讯、红外探测器、发光二极管、高效光电池与高速晶体管 等。 2 ITO透明电极主用于液晶显示、导电聚合物及太阳能电池，用作场致发光元件而用作 飞机、汽车等舷舱的除雾/冰器，作透明热反射体而用作红外窗口、建筑玻璃窗及烤箱 炉门等。 3 铟及铟基合金具有耐磨耐腐蚀特性且机械性能好，特用作高速发动机轴承、酸碱环境 及海事仪表、装饰与纪念品涂层。 4 铟与镓、铋、铅、镉、锡、铊等组成1.45℃154℃[1]系列低熔合金（表30-11），是自 动控制、异型加工件的充填物、珠宝加工的卡夹材料（后二者用后易脱除与返用）。作铝 导线接头涂层及核工业的控制棒等。 表30-11 铟基低熔合金（组分余数为铟） 熔点（℃） 1.45 18 33 44.5 46.5 54 57.5 组成 Sn 12.5 12.5 8 8.3 10.8 11.5 12 Pb 25 25 21.1 22.6 22.4 17.9 18 Bi 50 50 42.9 44.7 40.6 49.1 49 Cd 12.5 -- 5 -- 8.2 0.5 -- 其它 -- -- -- -- -- -- -- 熔点（℃） 60 70 81 90.5 93 108 109.5 组成 Sn -- 1.0 16.3 18-16 42 46 48 Pb -- 39.2 -- 30-32 -- -- -- Bi 30.8 50.3 54.0 52 -- -- -- Cd 7.5 8.0 -- -- 14 -- -- 其它 -- -- -- -- -- Zn 18 -- 熔点（℃） 111.5 116 122.5 126 141.5 152 154 组成 Sn -- -- -- 37.5 -- -- -- Pb 44 -- -- 37.5 -- -- -- Cd 55 24.25 27 -- -- -- -- 其它 -- Zn 1.75 -- -- Zn 2 Ge 0.6 Ge 0.5 5 一系列组成与熔点从47℃至234℃[1]（表30-12）的铟基焊接剂，具有良好导电性、机 械性及防腐特性。既是电子及低温物理学所需，也是机械与氯碱工业特用的焊接剂。 表30-12 铟基焊接剂（组分余数为铟） 熔点（℃） 47 72 77.5 79 93 组成 Sn -- -- -- 17 42 Pb -- -- -- -- -- Bi 81.9 33.7 48.5 57 -- Cd -- -- 16 -- 14 Ag -- -- -- -- -- 熔点（℃） 109 116 118 123 144 组成 Sn -- -- 48 -- -- Pb -- 50 -- -- -- Bi 67 -- -- -- -- Cd -- -- -- 25 -- Ag -- -- -- -- 10 熔点℃ 147 151.5 153. 158 234 组成 Sn -- -- -- -- -- Pb 5 -- 1.5 20.7 75 Bi -- -- -- -- -- Ag 5 -- -- -- -- Al -- 5 -- -- -- 30.1.5.4 铊用途 全球消耗铊量仅有估计约15吨左右，除美国公开报道铊的应用结构外，其他无报道。 （1） 1965年前铊大部分用作灭鼠剂、杀虫剂、杀真菌剂及仔猪免疫剂等，因毒害 故于1972年起控制使用而转用于电子工业，但铊化合物辐射检测仪在诊断心血管疾病与肿 瘤[5]，TlAC治疗痢疾及结核病，铊盐治皮肤病等仍有所发展。从九十年代初起铊的主要应用 由电子工业转作高温超导材，如美国1985年用于超导的铊量为零，但1993年报道已超过 50，其后至今每年铊用于超导材料约占80以上作磁能存储器、磁力发动机及磁共振仪等[5]。 （2） 经铊活化的碘化钠晶体制作光电倍增管，用于γ-探测器；溴碘化铊与硫氧化 铊晶体作光学仪器的透镜或窗口
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